실리콘

Silicene
얇은 은막에서 자란 실리콘의 첫 번째(4×4)와 두 번째 층(1×3×3-β)의 STM 영상. 이미지 크기 16×16nm.[1]

실리콘은 실리콘의 2차원 할당로프로서 그래핀과 비슷한 육각형 벌집 구조를 가지고 있다. 그래핀과 달리 실리콘은 평탄하지 않고 주기적으로 좌굴되는 위상, 실리콘의 층간 결합은 다층 그래핀보다 훨씬 강하며, 2D 실리카의 산화 형태는 그래핀 산화물과는 화학 구조가 매우 다르다.

역사

이론가들은 독립된 실리콘의 존재와 가능한 성질에 대해 추측해 왔지만,[2][3][4] 연구자들은 2010년에 실리콘을 암시하는 실리콘 구조를 처음으로 관찰했다.[5][6] 그들은 스캐닝 터널링 현미경을 사용하여 원자 분해능으로 은 결정인 Ag(110)와 Ag(111)에 축적된 자체 조립 실리콘 나노리본과 실리콘 시트를 연구했다. 이 이미지들은 그래핀과 비슷한 벌집 구조로 육각형을 드러냈는데, 이는 육각형을 모방한 은 표면에서 유래한 것으로 보인다.[7] 밀도함수 이론(DFT) 계산은 실리콘 원자가 은에 그러한 벌집 구조를 형성하는 경향이 있고, 그래핀과 같은 구성을 더 가능성이 높은 약간의 곡률을 채택한다는 것을 보여주었다. 단, 그러한 모델은 Si/Ag(110)에 대해 무효화되었다. AG 표면은 Si 흡착 시 행이 없는 재구성을 표시하며 관측된 벌집 구조물은 팁 아티팩트다.[9]

이는 2013년 아그에서 층층 실리콘과[11] 실리콘의 형성 메커니즘을 설명하는 아령[10] 재구성이 발견된 데 따른 것이다.[12]

2015년에는 실리콘 전계효과 트랜지스터를 시험했다.[13] 기초 과학 연구와 전자 응용을 위한 2차원 실리콘의 기회를 열어준다.[14][15][16]

그래핀과의 유사점과 차이점

실리콘과 탄소는 비슷한 원자들이다. 주기율표의 같은 그룹에서 서로 위아래로 눕고, 둘 다 s p2 전자2 구조를 가지고 있다. 실리콘과 그래핀의 2D 구조도 상당히 비슷하지만 둘 다 중요한 차이가 있다.[17] 둘 다 육각 구조를 형성하는 반면 그래핀은 완전히 평평한 반면 실리콘은 버클이 있는 육각형을 형성한다. 버클 구조로 실리콘에 외부 전기장을 적용해 튜닝 가능한 밴드 갭을 부여했다. 실리콘의 수소화 반응은 그래핀보다 발열성이 강하다. 또 다른 차이점은 실리콘의 공밸런트 본드는 파이 스택이 없기 때문에 실리콘은 흑연과 같은 형태로 뭉치지 않는다는 것이다. 실리콘에서 그래핀의 평면구조와 달리 좌굴구조가 형성된 것은 촘촘히 채워진 전자상태와 비어있는 전자상태 사이의 바이브론적 결합으로 인해 강한 사이비 얀-텔러 왜곡이 발생했기 때문으로 풀이된다.[18]

실리콘과 그래핀은 전자 구조가 비슷하다. 둘 다 Dirac 콘과 Dirac 지점 주변의 선형 전자 분산을 가지고 있다. 둘 다 양자 스핀 홀 효과도 있다. 두 가지 모두 전하를 운반하는 질량이 없는 디락 페르미온의 특성이 있을 것으로 예상되지만, 이는 실리콘에 대해서만 예측되며 관측되지 않은 것으로, 합성되지 않은 독립된 실리콘으로만 발생할 것으로 예상되기 때문일 것이다. 실리콘을 만드는 기질이 실리콘의 전자적 특성에 상당한 영향을 미친다고 여겨진다.[18]

그래핀의 탄소 원자와는 달리 실리콘 원자는 실리콘의 sp를2 통해3 sp 하이브리드화를 채택하는 경향이 있어 표면에서 화학적 활성도가 높고 화학적 기능화에 의해 전자 상태가 쉽게 조정될 수 있다.[19]

그래핀과 비교했을 때, 실리콘은 (1) 실험적으로 접근 가능한 온도에서 양자 스핀 홀 효과를 실현할 수 있는 훨씬 강한 스핀-오빗 커플링, (2) 상온에서 작동하는 효과적인 전계효과 트랜지스터(FET)에 필요한 밴드 갭의 더 나은 튜닝성을 가지고 있다., (3) 보다 쉬운 계곡 양극화 및 밸리트로닉스 연구의 적합성.[20]

밴드 갭

실리콘에 대한 초기 연구는 실리콘 구조 내의 서로 다른 도펜트가 그것의 밴드 갭을 조절할 수 있는 능력을 제공한다는 것을 보여주었다.[21] 매우 최근에, 상피 실리콘의 대역 갭은 제로갭 타입에서 반도체 타입에 이르는 산소 아다톰에 의해 조정되었다.[19] 조정 가능한 대역 갭으로 특정 전자 부품은 특정 대역 갭이 필요한 애플리케이션에 대해 주문 제작될 수 있다. 밴드 갭은 0.1 eV로 낮출 수 있는데, 이는 기존의 필드 효과 트랜지스터(FET)에서 발견된 밴드 갭(0.4 eV)보다 상당히 작다.[21]

실리콘 내에서 n형 도핑을 유도하려면 알칼리 금속 도판이 필요하다. 양을 달리하면 밴드 갭이 조정된다. 최대 도핑은 밴드 갭 0.5eV를 증가시킨다. 도핑이 심해 공급 전압도 c. 30V여야 한다. 알칼리 금속 도핑 실리콘은 n형 반도체만 생산할 수 있으며, 현대의 전자제품은 n형과 p형 접합부를 보완해야 한다. 발광다이오드(LED) 등의 장치를 만들려면 중성 도핑(i-type)이 필요하다. LED는 빛을 내기 위해 p-i-n 접합부를 사용한다. p형 도핑 실리콘을 생성하려면 별도의 도판트를 도입해야 한다. 이리듐(Ir) 도핑 실리콘은 p형 실리콘을 만들 수 있게 한다. 플래티넘(Pt) 도핑을 통해 i형 실리콘이 가능하다.[21] n타입, p타입, i타입 도핑구조의 조합으로 실리콘은 전자제품에서 사용할 수 있는 기회가 생겼다.

기존 금속 산화물 반도체 전계효과 트랜지스터(MOSFET) 내 전력 소산은 나노 전자공학을 다룰 때 병목 현상을 일으킨다. 터널 현장 효과 트랜지스터(TFET)는 기존 MOSFET의 대안이 될 수 있는데, 이는 전력 소모를 줄이는 하위 저장 경사와 공급 전압을 가질 수 있기 때문이다. 컴퓨터 연구에서는 실리콘 기반 TFET가 기존의 실리콘 기반 MOSFET를 능가하는 것으로 나타났다. 실리콘 TFET는 1mA/μm 이상의 상태 전류, 77mV/decade의 하위 절토, 1.7V의 공급 전압을 가진다. 이 정도로 주 내 전류가 증가하고 공급 전압이 감소함에 따라 이러한 장치 내 전력 소산은 기존의 MOSFET와 그 동위 TFET에 훨씬 못 미친다.[21]

표시된 버클 구조로 실리콘에서 육각형 링 1개를 닫으십시오.

특성.

2D 실리콘은 완전히 평면적이지는 않은데, 분명히 링에 의자처럼 삐걱거리는 왜곡이 있는 것이 특징이다. 이것은 질서 있는 표면 파동으로 이어진다. 실리콘에 대한 실리콘의 수소는 발열성이 있다. 이에 실리콘을 실리콘(수소실렌)으로 전환하는 과정이 수소저장 후보라는 예측이 나왔다. 분산력을 통해 약하게 고정된 그래핀 층으로 구성된 흑연과 달리 실리콘의 층간 결합은 매우 강하다.

실리콘 육각 구조의 좌굴은 사이비 얀-텔러 왜곡(PJT)에 의해 발생한다. 이는 점유되지 않은 분자궤도(UMO)와 점유된 분자궤도(OMO)의 강한 바이브론적 결합에 의해 발생한다. 이 궤도들은 실리콘의 높은 대칭성 구성으로 왜곡을 야기할 만큼 에너지가 충분하다. 좌굴 구조는 UMO와 OMO의 에너지 갭을 증가시켜 PJT 왜곡을 억제함으로써 평평하게 만들 수 있다. 이것은 리튬 이온을 첨가함으로써 할 수 있다.[18]

실리콘은 기존 반도체 기법과의 잠재적 호환성에 더해 가장자리가 산소 반응성을 나타내지 않는다는 장점이 있다.[22]

2012년에 여러 그룹이 독립적으로 Ag(111) 표면에서 순서 단계를 보고하였다.[23][24][25] 터널 분광 측정[26]를 검색하여angle-resolved 광전자 방출 분광 법(ARPES)에서 결과 그 silicene, 즉 graphene과 비슷한 전기적 특성 전자 분산과 유사할 수 있는 장면이 나왔다는 브릴 루인 zone,[23]의 K지점에서 상대론적 디랙 fermions지만 interpretatio다.nl다기질 띠로 인해 논란이 되고 있는 것으로 나타났다.[27][28][29][30][31][32][33] ARPES 결과를 해석하기 위해 밴드 펼치기 기법을 사용, 관측된 선형 분산 기질 원점을 드러냈다.[34]

은색 외에도 실리콘은 ZrB
2,[35] 이리듐에서 자라는 것으로 보고되었다.[36] 이론적 연구에서는 실리콘이 벌집형 구조 단층기(4x4Ag(111) 표면에서 관측된 것과 유사한 결합 에너지와 3-, 4-, 5-, 6- 면 폴리곤으로 구성된 "폴리곤실린"이라는 새로운 형태로 알(111) 표면에서 안정적이라고 예측했다.[37]

Ag와 Si 사이의 p-d 혼합 메커니즘은 DFT 계산과 분자 역학 시뮬레이션에 의해 설명되는 실리콘 성장을 위한 거의 평평한 실리콘 클러스터와 Ag 기질의 효과를 안정화하는데 중요하다.[32][38] Ag(111)의 상피 4 × 4 실리콘의 독특한 혼합 전자 구조는 터널링 현미경 및 각도 분해 분광법을 스캔하여 드러나는 실리콘 표면의 고화학 반응성을 결정한다. Si와 Ag의 혼합은 금속 표면 상태를 초래하며, 이는 산소 흡착으로 인해 점차적으로 붕괴될 수 있다. X선 광분해 분광법은 산소 처리 후 Si-Ag 결합의 디커플링과 Ag(111) 표면의 산소 저항성을 확인하며, 4 × 4 실리콘과는 대조적이다[Ag(111).[32]

기능화된 실리콘

순수 실리콘 구조를 넘어, 기능화된 실리콘에 대한 연구는 페닐 링으로 기능한 유기화 실리콘 - 무산소 실리콘 시트의 성공적인 성장을 가져왔다.[39] 이러한 기능화는 유기 용매에서 구조물의 균일한 분산을 허용하며, 새로운 기능화된 실리콘 시스템과 유기농 나노시트의 다양한 가능성을 나타낸다.

실리콘 트랜지스터

미 육군 연구소는 2014년부터 실리콘에 대한 연구를 지원해 왔다. 제시된 연구 목표는 실리콘과 같은 원자 규모의 물질을 그래핀과 같은 기존 물질을 넘어서는 성질 및 기능성을 분석하는 것이었다.[40] 2015년 데지 아킨완데는 이탈리아 CNR의 알레산드로 몰레 그룹과 함께 오스틴 텍사스주립대 연구원을 이끌고 미 육군 연구소와 협업해 공기 중 실리콘을 안정화하는 방법을 개발해 기능성 실리콘 전계효과 트랜지스터 소자를 보고했다. 작동 중인 트랜지스터의 재료는 반드시 밴드갑이 있어야 하며, 전자 이동성이 높으면 더 효과적으로 기능한다. 밴드갭은 전자가 존재하지 않는 물질에서 발란스와 전도 밴드 사이의 영역이다. 그래핀은 전자의 이동성이 높지만, 소재에서 밴드갭을 형성하는 과정은 다른 전위성을 많이 감소시킨다.[41]

따라서 실리콘과 같은 그래핀 아날로그를 전계효과 트랜지스터로 사용하는 것에 대한 조사가 이루어지고 있다. 실리콘의 자연 상태에도 불구하고 아킨완데와 몰레 그리고 동료들은 미국 육군 연구소와 협력하여 실리콘 트랜지스터를 개발했다. 그들은 공기 중의 실리콘의 불안정성을 극복하기 위해 "실리신 캡슐화 고유 전극(SEDNE)으로 불리는 공정을 설계했다. 그 결과 나타난 안정성은 시아그의 p-d 혼성화 때문이라고 주장되어 왔다. 그들은 상피를 통해 아그 층 위에 실리콘 층을 배양하고 알루미나(Alumina, AlO23)로 두 층을 덮었다. 실리콘, Ag, AlO는23 실온에서 진공상태로 보관되어 추적된 2개월에 걸쳐 관찰되었다. 이 샘플은 라만 분광기 검사를 통해 분해 징후를 확인했으나 발견되지 않았다. 이 복잡한 스택은 SiO2 기판 위에 배치되었고, AG는 위를 향하였다. Ag는 실리콘 채널을 드러내기 위해 가운데를 가느다란 조각으로 제거되었다. 기판 위의 실리콘 채널은 특유의 라만 스펙트럼을 상실할 때까지 공기에 노출될 때 2분의 수명을 가졌다. 약 210mV의 밴드갭이 보고되었다.[42][41] 기질이 밴드갭을 개발하는 과정에서 실리콘에 미치는 영향은 곡물 경계의 산란과 음향 음소폰의 제한된 운반뿐만 [42]아니라 실리콘과 기질 사이의 대칭 파괴와 잡종화 효과에 의해 설명되어 왔다.[43] 음향 포논은 격자 구조에서 평형 위치에서 두 개 이상의 원자의 동기적 움직임을 묘사한다.

참고 항목

참조

  1. ^ Sone, Junki; Yamagami, Tsuyoshi; Nakatsuji, Kan; Hirayama, Hiroyuki (2014). "Epitaxial growth of silicene on ultra-thin Ag(111) films". New J. Phys. 16 (9): 095004. Bibcode:2014NJPh...16i5004S. doi:10.1088/1367-2630/16/9/095004.
  2. ^ Takeda, K.; Shiraishi, K. (1994). "Theoretical possibility of stage corrugation in Si and Ge analogs of graphite". Physical Review B. 50 (20): 14916–14922. Bibcode:1994PhRvB..5014916T. doi:10.1103/PhysRevB.50.14916. PMID 9975837.
  3. ^ Guzmán-Verri, G.; Lew Yan Voon, L. (2007). "Electronic structure of silicon-based nanostructures". Physical Review B. 76 (7): 075131. arXiv:1107.0075. Bibcode:2007PhRvB..76g5131G. doi:10.1103/PhysRevB.76.075131.
  4. ^ Cahangirov, S.; Topsakal, M.; Aktürk, E.; Şahin, H.; Ciraci, S. (2009). "Two- and One-Dimensional Honeycomb Structures of Silicon and Germanium". Physical Review Letters. 102 (23): 236804. arXiv:0811.4412. Bibcode:2009PhRvL.102w6804C. doi:10.1103/PhysRevLett.102.236804. PMID 19658958.
  5. ^ Aufray, B.; Kara, A.; Vizzini, S. B.; Oughaddou, H.; LéAndri, C.; Ealet, B.; Le Lay, G. (2010). "Graphene-like silicon nanoribbons on Ag(110): A possible formation of silicene". Applied Physics Letters. 96 (18): 183102. Bibcode:2010ApPhL..96r3102A. doi:10.1063/1.3419932.
  6. ^ Lalmi, B.; Oughaddou, H.; Enriquez, H.; Kara, A.; Vizzini, S. B.; Ealet, B. N.; Aufray, B. (2010). "Epitaxial growth of a silicene sheet". Applied Physics Letters. 97 (22): 223109. arXiv:1204.0523. Bibcode:2010ApPhL..97v3109L. doi:10.1063/1.3524215.
  7. ^ Lay, G. Le; Padova, P. De; Resta, A.; Bruhn, T.; Vogt, P. (2012-01-01). "Epitaxial silicene: can it be strongly strained?". Journal of Physics D: Applied Physics. 45 (39): 392001. Bibcode:2012JPhD...45M2001L. doi:10.1088/0022-3727/45/39/392001. ISSN 0022-3727.
  8. ^ Bernard, R.; Leoni, T.; Wilson, A.; Lelaidier, T.; Sahaf, H.; Moyen, E.; Assaud, L. C.; Santinacci, L.; Leroy, F. D. R.; Cheynis, F.; Ranguis, A.; Jamgotchian, H.; Becker, C.; Borensztein, Y.; Hanbücken, M.; Prévot, G.; Masson, L. (2013). "Growth of Si ultrathin films on silver surfaces: Evidence of an Ag(110) reconstruction induced by Si". Physical Review B. 88 (12): 121411. Bibcode:2013PhRvB..88l1411B. doi:10.1103/PhysRevB.88.121411.
  9. ^ Colonna, S.; Serrano, G.; Gori, P.; Cricenti, A.; Ronci, F. (2013). "Systematic STM and LEED investigation of the Si/Ag(110) surface". Journal of Physics: Condensed Matter. 25 (31): 315301. Bibcode:2013JPCM...25E5301C. doi:10.1088/0953-8984/25/31/315301. PMID 23835457.
  10. ^ Özçelik, V. Ongun; Ciraci, S. (2013-12-02). "Local Reconstructions of Silicene Induced by Adatoms". The Journal of Physical Chemistry C. 117 (49): 26305–26315. arXiv:1311.6657. Bibcode:2013arXiv1311.6657O. doi:10.1021/jp408647t.
  11. ^ Cahangirov, Seymur; Özçelik, V. Ongun; Rubio, Angel; Ciraci, Salim (2014-08-22). "Silicite: The layered allotrope of silicon". Physical Review B. 90 (8): 085426. arXiv:1407.7981. Bibcode:2014PhRvB..90h5426C. doi:10.1103/PhysRevB.90.085426.
  12. ^ Cahangirov, Seymur; Özçelik, Veli Ongun; Xian, Lede; Avila, Jose; Cho, Suyeon; Asensio, María C.; Ciraci, Salim; Rubio, Angel (2014-07-28). "Atomic structure of the 3×3 phase of silicene on Ag(111)". Physical Review B. 90 (3): 035448. arXiv:1407.3186. Bibcode:2014PhRvB..90c5448C. doi:10.1103/PhysRevB.90.035448.
  13. ^ Tao, L.; Cinquanta, E.; Chiappe, D.; Grazianetti, C.; Fanciulli, M.; Dubey, M.; Molle, A.; Akinwande, D. (2015). "Silicene field-effect transistors operating at room temperature". Nature Nanotechnology. 10 (3): 227–31. Bibcode:2015NatNa..10..227T. doi:10.1038/nnano.2014.325. PMID 25643256.
  14. ^ 페플로우, 마크 (2015년 2월 2일) "그래핀의 사촌 실리콘이 트랜지스터에 데뷔한다. 네이처 뉴스 & 코멘트.
  15. ^ 아이옌가, 리시 (2015년 2월 5일) "조사관들이 컴퓨터 칩 트랜지스터를 원자 두께 한 개만 만들었다." TIME.com.
  16. ^ 데이븐포트, 매트 (2015년 2월 5일) "2차원 실리콘은 그 장치를 선보인다." acs.org
  17. ^ Garcia, J. C.; de Lima, D. B.; Assali, L. V. C.; Justo, J. F. (2011). "Group IV graphene- and graphane-like nanosheets". J. Phys. Chem. C. 115 (27): 13242. arXiv:1204.2875. doi:10.1021/jp203657w.
  18. ^ a b c Jose, D.; Datta, A. (2014). "Structures and Chemical Properties of Silicene: Unlike Graphene". Accounts of Chemical Research. 47 (2): 593–602. doi:10.1021/ar400180e. PMID 24215179.
  19. ^ a b Du, Yi; Zhuang, Jincheng; Liu, Hongsheng; Zhuang, Jincheng; Xu, Xun; et al. (2014). "Tuning the Band Gap in Silicene by Oxidation". ACS Nano. 8 (10): 10019–25. arXiv:1412.1886. Bibcode:2014arXiv1412.1886D. doi:10.1021/nn504451t. PMID 25248135.
  20. ^ Zhao, Jijun; Liu, Hongsheng; Yu, Zhiming; Quhe, Ruge; Zhou, Si; Wang, Yangyang; Zhong, Hongxia; Han, Nannan; Lu, Jing; Yao, Yugui; Wu, Kehui (2016). "Rise of silicene: A competitive 2D material". Progress in Materials Science. 83: 24–151. doi:10.1016/j.pmatsci.2016.04.001.
  21. ^ a b c d Ni, Z.; Zhong, H.; Jiang, X.; Quhe, R.; Luo, G.; Wang, Y.; Ye, M.; Yang, J.; Shi, J.; Lu, J. (2014). "Tunable band gap and doping type in silicene by surface adsorption: Towards tunneling transistors". Nanoscale. 6 (13): 7609–18. arXiv:1312.4226. Bibcode:2014Nanos...6.7609N. doi:10.1039/C4NR00028E. PMID 24896227.
  22. ^ Padova, P. D.; Leandri, C.; Vizzini, S.; Quaresima, C.; Perfetti, P.; Olivieri, B.; Oughaddou, H.; Aufray, B.; Le Lay, G. L. (2008). "Burning Match Oxidation Process of Silicon Nanowires Screened at the Atomic Scale". Nano Letters. 8 (8): 2299–2304. Bibcode:2008NanoL...8.2299P. doi:10.1021/nl800994s. PMID 18624391.
  23. ^ a b Vogt, P.; De Padova, P.; Quaresima, C.; Avila, J.; Frantzeskakis, E.; Asensio, M. C.; Resta, A.; Ealet, B. N. D.; Le Lay, G. (2012). "Silicene: Compelling Experimental Evidence for Graphenelike Two-Dimensional Silicon" (PDF). Physical Review Letters. 108 (15): 155501. Bibcode:2012PhRvL.108o5501V. doi:10.1103/PhysRevLett.108.155501. PMID 22587265.
  24. ^ Lin, C. L.; Arafune, R.; Kawahara, K.; Tsukahara, N.; Minamitani, E.; Kim, Y.; Takagi, N.; Kawai, M. (2012). "Structure of Silicene Grown on Ag(111)". Applied Physics Express. 5 (4): 045802. Bibcode:2012APExp...5d5802L. doi:10.1143/APEX.5.045802.
  25. ^ Feng, B.; Ding, Z.; Meng, S.; Yao, Y.; He, X.; Cheng, P.; Chen, L.; Wu, K. (2012). "Evidence of Silicene in Honeycomb Structures of Silicon on Ag(111)". Nano Letters. 12 (7): 3507–3511. arXiv:1203.2745. Bibcode:2012NanoL..12.3507F. doi:10.1021/nl301047g. PMID 22658061.
  26. ^ Chen, L.; Liu, C. C.; Feng, B.; He, X.; Cheng, P.; Ding, Z.; Meng, S.; Yao, Y.; Wu, K. (2012). "Evidence for Dirac Fermions in a Honeycomb Lattice Based on Silicon" (PDF). Physical Review Letters. 109 (5): 056804. arXiv:1204.2642. Bibcode:2012PhRvL.109e6804C. doi:10.1103/PhysRevLett.109.056804. PMID 23006197.
  27. ^ Guo, Z. X.; Furuya, S.; Iwata, J. I.; Oshiyama, A. (2013). "Absence of Dirac Electrons in Silicene on Ag(111) Surfaces". Journal of the Physical Society of Japan. 82 (6): 063714. arXiv:1211.3495. Bibcode:2013JPSJ...82f3714G. doi:10.7566/JPSJ.82.063714.
  28. ^ Wang, Yun-Peng; Cheng, Hai-Ping (2013-06-24). "Absence of a Dirac cone in silicene on Ag(111): First-principles density functional calculations with a modified effective band structure technique". Physical Review B. 87 (24): 245430. arXiv:1302.5759. Bibcode:2013PhRvB..87x5430W. doi:10.1103/PhysRevB.87.245430.
  29. ^ Arafune, R.; Lin, C. -L.; Nagao, R.; Kawai, M.; Takagi, N. (2013). "Comment on "Evidence for Dirac Fermions in a Honeycomb Lattice Based on Silicon"". Physical Review Letters. 110 (22): 229701. Bibcode:2013PhRvL.110v9701A. doi:10.1103/PhysRevLett.110.229701. PMID 23767755.
  30. ^ Lin, C. L.; Arafune, R.; Kawahara, K.; Kanno, M.; Tsukahara, N.; Minamitani, E.; Kim, Y.; Kawai, M.; Takagi, N. (2013). "Substrate-Induced Symmetry Breaking in Silicene". Physical Review Letters. 110 (7): 076801. Bibcode:2013PhRvL.110g6801L. doi:10.1103/PhysRevLett.110.076801. PMID 25166389.
  31. ^ Gori, P.; Pulci, O.; Ronci, F.; Colonna, S.; Bechstedt, F. (2013). "Origin of Dirac-cone-like features in silicon structures on Ag(111) and Ag(110)". Journal of Applied Physics. 114 (11): 113710–113710–5. Bibcode:2013JAP...114k3710G. doi:10.1063/1.4821339.
  32. ^ a b c Xu, Xun; Zhuang, Jincheng; Du, Yi; Feng, Haifeng; Zhang, Nian; Liu, Cheng; Lei, Tao; Wang, Jiaou; Spencer, Michelle; Morishita, Tetsuya; Wang, Xiaolin; Dou, Shixue (2014). "Effects of oxygen adsorption on the surface state of epitaxial silicene on Ag(111)". Scientific Reports. Nature Publishing Group. 4: 7543. arXiv:1412.1887. Bibcode:2014NatSR...4E7543X. doi:10.1038/srep07543. PMC 4269890. PMID 25519839.
  33. ^ Mahatha, S.K.; Moras, P.; Bellini, V.; Sheverdyaeva, P.M.; Struzzi, C.; Petaccia, L.; Carbone, C. (2014-05-30). "Silicene on Ag(111): A honeycomb lattice without Dirac bands". Physical Review B. 89 (24): 201416. Bibcode:2014PhRvB..89t1416M. doi:10.1103/PhysRevB.89.201416.
  34. ^ Chen, M.X.; Weinert, M. (2014-08-12). "Revealing the Substrate Origin of the Linear Dispersion of Silicene/Ag(111)". Nano Letters. 14 (9): 5189–93. arXiv:1408.3188. Bibcode:2014NanoL..14.5189C. doi:10.1021/nl502107v. PMID 25115310.
  35. ^ Fleurence, A.; Friedlein, R.; Ozaki, T.; Kawai, H.; Wang, Y.; Yamada-Takamura, Y. (2012). "Experimental Evidence for Epitaxial Silicene on Diboride Thin Films". Physical Review Letters. 108 (24): 245501. Bibcode:2012PhRvL.108x5501F. doi:10.1103/PhysRevLett.108.245501. PMID 23004288.
  36. ^ Meng, L.; Wang, Y.; Zhang, L.; Du, S.; Wu, R.; Li, L.; Zhang, Y.; Li, G.; Zhou, H.; Hofer, W. A.; Gao, H. J. (2013). "Buckled Silicene Formation on Ir(111)". Nano Letters. 13 (2): 685–690. Bibcode:2013NanoL..13..685M. doi:10.1021/nl304347w. PMID 23330602.
  37. ^ Morishita, T.; Spencer, M. J. S.; Kawamoto, S.; Snook, I. K. (2013). "A New Surface and Structure for Silicene: Polygonal Silicene Formation on the Al(111) Surface". The Journal of Physical Chemistry C. 117 (42): 22142. doi:10.1021/jp4080898.
  38. ^ Gao, J.; Zhao, J. (2012). "Initial geometries, interaction mechanism and high stability of silicene on Ag(111) surface". Scientific Reports. 2: 861. Bibcode:2012NatSR...2E.861G. doi:10.1038/srep00861. PMC 3498736. PMID 23155482.
  39. ^ Sugiyama, Y.; Okamoto, H.; Mitsuoka, T.; Morikawa, T.; Nakanishi, K.; Ohta, T.; Nakano, H. (2010). "Synthesis and Optical Properties of Monolayer Organosilicon Nanosheets". Journal of the American Chemical Society. 132 (17): 5946–7. doi:10.1021/ja100919d. PMID 20387885.
  40. ^ Botari, T.; Perim, E.; Autreto, P. A. S.; van Duin, A. C. T.; Paupitz, R.; Galvao, D. S. (2014). "Mechanical properties and fracture dynamics of silicene membranes". Phys. Chem. Chem. Phys. 16 (36): 19417–19423. arXiv:1408.1731. Bibcode:2014PCCP...1619417B. doi:10.1039/C4CP02902J. ISSN 1463-9076. PMID 25102369.
  41. ^ a b Quhe, Ru-Ge; Wang, Yang-Yang; Lü, Jing (August 2015). "Silicene transistors— A review". Chinese Physics B (in Chinese). 24 (8): 088105. Bibcode:2015ChPhB..24h8105Q. doi:10.1088/1674-1056/24/8/088105. ISSN 1674-1056.
  42. ^ a b Tao, Li; Cinquanta, Eugenio; Chiappe, Daniele; Grazianetti, Carlo; Fanciulli, Marco; Dubey, Madan; Molle, Alessandro; Akinwande, Deji (2015-02-02). "Silicene field-effect transistors operating at room temperature". Nature Nanotechnology. 10 (3): 227–231. Bibcode:2015NatNa..10..227T. doi:10.1038/nnano.2014.325. ISSN 1748-3387. PMID 25643256.
  43. ^ Chen, M.X.; Zhong, Z.; Weinert, M. (2016). "Designing substrates for silicene and germanene: First-principles calculations". Physical Review B. 94 (7): 075409. arXiv:1509.04641. doi:10.1103/PhysRevB.94.075409.

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