재료 분석 방법 목록
List of materials analysis methods재료 과학에서 사용되는 분석 방법 목록입니다.분석 방법은 약어(존재하는 경우)에 따라 나열됩니다.
기호
A
- AAS – 원자 흡수 분광법
- AED – 오거 전자 회절
- AES – 오거 전자 분광법
- AFM – 원자력 현미경 검사
- AFS – 원자 형광 분광법
- 분석용 초원심도
- APFIM – 원자 프로브 필드 이온 현미경법
- APS – 외관전위분광법
- ARPES – 각도 분해 광방출 분광법
- ARUPS – 각도 분해 자외선 발광 분광법
- ATR – 감쇠된 총 반사율
B
- BET – BET 표면적 측정(Brunauer, Emett, Teller의 BET)
- BiFC – 쌍분자 형광 보완
- BKD – 후방 산란 키쿠치 회절, EBSD 참조
- BRET – 생물 발광 공명 에너지 전달
- BSED – 후방 산란 전자 회절, EBSD 참조
C
- CAICISS – 동축 충격 충돌 이온 산란 분광법
- CARS – 일관성 있는 반스토크스 라만 분광법
- CBED – 수렴 빔 전자 회절
- CCM – 전하 수집 현미경 검사
- CDI – 일관성 있는 회절 이미징
- CE – 캐피럴리 전기영동
- CET – 저온 전자 단층 촬영
- CL – 음극 발광
- CLSM – 공초점 레이저 스캔 현미경 검사
- COSY – 상관분광학
- Cryo-EM – 극저온 전자 현미경법
- Cryo-SEM – Cryo-Scaning 전자현미경법
- CV – 순환 전압 측정
D
- DE(T)A – 유전체 열분석
- dHvA – De Haas – van Alphen 효과
- DIC – 차분 간섭 콘트라스트 현미경 검사
- 유전체 분광법
- DLS – 동적 광산란
- DLTS – 심층 과도 분광법
- DMA – 동적 기계적 분석
- DPI – 이중 편파 간섭계
- DRS – 확산 반사 분광법
- DSC – 디퍼렌셜 스캔 열량 측정
- DTA – 차분 열분석
- DVS – 동적 증기 흡착
E
- EBIC – 전자빔 유도 전류(IB 참조)IC: 이온 빔 유도 전하)
- EBS – 탄성(루터포드 이외) 후방 산란 분광법(RBS 참조)
- EBSD – 전자 후방 산란 회절
- 에코시 – 배타적 상관분광법
- ECT – 전기 용량 단층 촬영
- EDAX – X선의 에너지 분산 분석
- EDMR – 전기적으로 검출된 자기 공명(ESR 또는 EPR 참조)
- EDS 또는 EDX – 에너지 분산형 X선 분광법
- EELS – 전자 에너지 손실 분광법
- EFTEM – 에너지 필터 처리된 투과 전자 현미경 검사
- EID – 전자 유도 탈리
- EIT 및 ERT – 전기 임피던스 단층 촬영 및 전기 저항 단층 촬영
- EL – 일렉트로루미네센스
- 전자결정학
- ELS – 전기영동광 산란
- ENDOR – 전자 핵 이중 공명, ESR 또는 EPR 참조
- EPMA – 전자 프로브 마이크로 분석
- EPR – 전자 상사성 공명 분광법
- ERD 또는 ERDA – 탄성반동검출 또는 탄성반동검출분석
- ESCA – 화학 분석을 위한 전자 분광법 XPS 참조
- ESD – 전자 자극 탈리
- ESEM – 환경주사 전자현미경법
- ESI-MS 또는 ES-MS – 일렉트로스프레이 이온화 질량 분석 또는 일렉트로스프레이 질량 분석
- ESR – 전자 스핀 공명 분광법
- ESTM – 전기화학 주사 터널링 현미경법
- EXAFS – 확장 X선 흡수 미세 구조
- EXSY – Exchange 스펙트럼 분석
F
- FCS – 형광 상관 분광법
- FCCS – 형광 상호 상관 분광법
- FEM – 전계 방출 현미경 검사
- FIB – 집속 이온 빔 현미경 검사
- FIM-AP – 필드 이온 현미경 검사 – 원자 프로브
- 흐름 복굴절
- 형광 이방성
- FLIM – 형광 라이프 타임 이미징
- 형광 현미경법
- FOSPM – 기능 지향 스캔 프로브 현미경 검사
- FLET – 형광 공명 에너지 전달
- FRS – 전방 반동 분광법, ERD의 동의어
- FTICR 또는 FT-MS – 푸리에 변환 이온 사이클로트론 공명 또는 푸리에 변환 질량 분석
- FTIR – 푸리에 변환 적외선 분광법
G
- GC-MS – 가스 크로마토그래피 질량 분석
- GDMS – 글로우 방전 질량 분석
- GDOS – 글로우 방전 광학 분광법
- GISAXS – 방목 발생 소각 X선 산란
- GIXD – 방목 입사 X선 회절
- GIXR – 방목 입사 X선 반사율
- GLC – 기액 크로마토그래피
H
- HADF – 고각 고리형 다크필드 이미징
- HAS – 헬륨 원자 산란
- HPLC – 고성능 액체 크로마토그래피
- HREELS – 고해상도 전자 에너지 손실 분광법
- HREM – 고해상도 전자현미경 검사
- HRTEM – 고해상도 투과 전자 현미경 검사
- HI-ERDA – 중이온 탄성 반동 검출 분석
- HE-PIXE – 고에너지 양성자 유도 X선 방출
I
- IAES – 이온 유도 오거 전자 분광법
- IBA – 이온 빔 분석
- IBIC – 이온빔 유도 전하 현미경법
- ICP-AES – 유도 결합 플라즈마 원자 방출 분광법
- ICP-MS – 유도 결합 플라즈마 질량 분석
- 면역 형광
- ICR – 이온 사이클로트론 공명
- IETS – 비탄성 전자 터널링 분광법
- IGA – 인텔리전트 중력 분석
- IGF – 불활성 가스 융합
- IIX – 이온 유도 X선 분석, 입자 유도 X선 방출 참조
- INS – 이온 중화 분광법
- 비탄성 중성자 산란
- IRNDT – 적외선 비파괴 테스트
- IRS – 적외선 분광법
- ISS – 이온 산란 분광법
- ITC – 등온 적정 열량 측정
- IVEM – 중전압 전자현미경법
L
- LALS – 저각도 레이저 광산란
- LC-MS – 액체 크로마토그래피 질량 분석
- LEED – 저에너지 전자 회절
- LEEM – 저에너지 전자현미경법
- LIS – 저에너지 이온 산란
- LIBS – 레이저 유도 파괴 분광법
- LOES – 레이저 광학 발광 분광법
- LS – 빛(라만) 산란
M
- MALDI – 매트릭스 지원 레이저 탈착/이온화
- MBE – 분자선 에피택시
- MEIS – 중간 에너지 이온 산란
- MFM – 자력 현미경 검사
- MIT – 자기 유도 단층 촬영
- MPM – Multiphoton 형광 현미경 검사
- MRFM – 자기공명력 현미경법
- MRI – 자기공명 이미징
- MS – 질량 분석
- MS/MS – 탠덤 질량 분석
- MSGE – 기계적 자극 가스 방출
- 뫼스바우어 분광법
- MTA – 마이크로 서멀 분석
N
- NAA – 중성자 활성화 분석
- ND – 중성자 회절
- NDP – 중성자 깊이 프로파일링
- NEXAFS – 근연 X선 흡수 미세 구조
- 국정원 – 핵 비탄성 산란/흡수
- NMR – 핵자기공명분광학
- NOESY – 핵과잉 사용자 효과 분광법
- NRA – 핵반응 분석
- NSOM – 근거리 광학 현미경 검사
O
P
- 파스 – 양전자 소멸 분광 법
- Photoacoustic 분광 법
- 발작성 심방 세동 또는 PACT –Photoacoustic 단층 촬영 또는 광음향 컴퓨터 단층 촬영.
- adsorbed 제논의 여행– Photoemission.
- PC나 PCS–Photocurrent 분광학.
- 대비 현미경 검사 위상
- 박사 – Photoelectron 회절
- PD– Photodesorption
- PDEIS – Potentiodynamic 전기 화학 임피던스 분광학.
- 일일 병력 현황 –Photothermal 편향 분광 법
- PED – Photoelectron 회절
- PEELS 병렬 전자 에너지 손실 분광 법 –.
- PEEM – 광전자 전자 현미경(또는photoelectron 방출 현미경).
- PES – Photoelectron 분광 법
- PINEM – photon-induced 근거 리장 전자 현미경 검사
- PIGE – 입자(또는 양성자), 핵 반응 분석을 참조하십시오 감마선 분광 법을 유발했다.
- PIXE – 입자(또는 양성자) 유도 X선 분광법
- PL – 포토루미네센스
- 측압
- 분말 회절
- PTMS – 광열 현미경 검사
- PTS – 광열 분광법
Q
- QENS – 준탄성 중성자 산란
- QCM-D – 석영 결정 마이크로밸런스(소산 감시 기능 포함)
R
- 라만 분광학
- RAXRS – 공명 이상 X선 산란
- RBS – Rutherford 후방 산란 분광법
- REM – 반사전자현미경법
- RDS – 반사율 차이 분광법
- RHEED – 고에너지 전자 회절 반사
- RIMS – 공명 이온화 질량 분석
- RAXS – 공명 비탄성 X선 산란
- RR 분광법 - 공명 라만 분광법
S
- SAD – 선택한 영역 회절
- SAED – 선택된 영역 전자 회절
- SAM – 스캔 오거 현미경 검사
- SANS – 소각 중성자 산란
- SAXS – 소각 X선 산란
- SCANIIR – 중성종 및 이온충격 방사선의 분석에 의한 표면 조성
- SCEM – 스캔 공초점 전자 현미경 검사
- SE – 분광 타원 측정
- SEC – 크기 제외 크로마토그래피
- SEIRA – 표면 강화 적외선 흡수 분광법
- SEM – 스캔 전자 현미경 검사
- SERS – 표면 강화 라만 분광법
- SERRS – 표면 증강 공명 라만 분광법
- SESANS – 스핀 에코 소각 중성자 산란
- SEXAFS – 표면 연장 X선 흡수 미세 구조
- SICM – 주사 이온 전도도 현미경 검사
- SIL – 솔리드 액침 렌즈
- SIM – 솔리드 액침 미러
- SIMS – 이차 이온 질량 분석
- SNMS – 스패터 중성종 질량 분석
- SNOM – 근접장 광학 현미경 스캔
- SPECT – 단광자 방출 컴퓨터 단층 촬영
- SPM – 스캔 프로브 현미경 검사
- SRM-CE/MS – 선택 반응 모니터링 모세혈관 전기영동 질량 분석
- SSNMR – 고체 핵자기 공명
- 스타크 분광학
- STED – 자극적 배출량 감소 현미경 검사
- STEM – 주사 투과 전자 현미경 검사
- STM – 스캔 터널링 현미경 검사
- STS – 스캔 터널링 분광법
- SXRD – 표면 X선 회절
T
- TAT 또는 TACT – 열음향 단층 촬영 또는 열음향 컴퓨터 단층 촬영(광음향 단층 촬영 - PAT 참조)
- TEM – 투과 전자 현미경 검사
- TGA – 열중량 분석
- TIKA – 전송 이온 운동 분석
- TIMS – 열 이온화 질량 분석
- TIRFM – Total Internal Reflection 형광 현미경 검사
- TLS – 광열 렌즈 분광법, 광열 분광법의 일종
- TMA – 열역학 분석
- TOF-MS – 비행 시간 질량 분석
- 이광자 들뜸 현미경법
- TXRF – 전체 반사 X선 형광 분석
U
- 초음파 감쇠 분광법
- UPS – UV-광전자 분광법
- USANS – 초소각 중성자 산란
- USAXS – 초소형 각도의 X선 산란
- UT – 초음파 테스트
- UV-Vis – 자외선-가시 분광법
V
W
- WAXS – 광각 X선 산란
- WDX 또는 WDS – 파장 분산 X선 분광법
X
- XAES – X선 유도 오거 전자 분광법
- XANES – XANES, NEXAFS(근단 X선 흡수 미세 구조)와 동의어
- XAS – X선 흡수 분광법
- X-CTR – X선 결정 절단봉 산란
- X선 결정학
- XDS – X선 확산 산란
- XPEEM – X선 광전자 방출 현미경 검사
- XPS – X선 광전자 분광법
- XRD – X선 회절
- XRES – X선 공명 교환 산란
- XRF – X선 형광 분석
- XRR – X선 반사율
- XRS – X선 라만 산란
- XSW – X선 정재파 기술
「 」를 참조해 주세요.
레퍼런스
- Callister, WD (2000). Materials Science and Engineering – An Introduction. London: John Wiley and Sons. ISBN 0-471-32013-7.
- Yao, N, ed. (2007). Focused Ion Beam Systems: Basics and Applications. Cambridge, UK: Cambridge University Press. ISBN 978-0-521-83199-4.
