파릴렌

Parylene
파릴렌의 반복 단위입니다.
파라옥실렌 모노머.

파릴렌은 골격이 1,2-에탄에틸 브리지 -CH
2–CH
2–로 연결된 파라벤젠디아일 고리 -CH-로
6
4 구성된 폴리머의 일반적인 이름입니다.파라옥실렌 HC
2=CH
6
4=CH
2=CH의 중합으로 얻을 수 있다.

이 이름은 또한 동일한 골격을 가진 여러 개의 고분자를 위해 사용되며, 여기서 일부 수소 원자는 다른 기능성 기로 대체된다.이러한 변형 중 일부는 "팔릴렌 C" 및 "팔릴렌 AF-4"와 같은 문자 번호 코드에 의해 상업적으로 지정된다.이러한 이름 중 일부는 일부 국가에서 등록 상표입니다.

파릴렌 코팅은 전기 절연체, 습기 장벽 또는 부식 및 화학적 공격에 대한 보호와 같은 전자 회로 및 기타 장비에 종종 적용된다.또한 마찰을 줄이기 위해, 그리고 이식 장치에 대한 부작용을 방지하기 위해 의학적으로도 사용됩니다.이러한 코팅은 일반적으로 모노머 파라옥실렌의 대기에서 화학 증착에 의해 적용됩니다.

파릴렌의 중합은 사슬을 끝내기 위해 개시제나 다른 화학물질이 필요하지 않기 때문에 "친환경" 고분자로 간주되며, 코팅은 용제 없이 상온 또는 상온에서 도포될 수 있습니다.

역사

파릴렌은 1947년 마이클 슈워크에 의해 1000°C 이상의 파라자일렌
3 HC-CH-CH의
6
4
3 열분해 생성물 중 하나로 발견되었다.Szwarc는 요오드와의 반응에서 유일한 생성물로 파라-옥실렌 디-요오드화물이 나온 것을 관찰함으로써 파라-옥실렌을 전구체로 식별했다.반응 수율은 불과 몇 [1][2]퍼센트였다.

1965년 윌리엄 F.에 의해 보다 효율적인 경로가 발견되었다.유니온 카바이드사의 고함입니다550°C를 초과하고 1Torr 미만의 진공 상태에서 [2.2] 파라시클로판의 열분해로 파릴렌 필름을 퇴적시켰다.이 공정에서는 용제가 필요하지 않았고 핀홀이 없는 화학 저항성 필름을 만들었습니다.유니언 카바이드사는 1965년 [1][2]팔린 코팅 시스템을 상용화했다.

유니언 카바이드(Union Carbide)는 1960년대부터 1970년대 초까지 팔릴렌 AF-4를 포함한 수많은 팔릴렌 전구체의 합성에 대한 연구를 계속했다.유니언 카바이드사는 1984년 노바트랜(팔렌 코팅제)을 인수해 다른 전자화학 코팅 업체와 결합해 특수 코팅 시스템 부문을 구성했다.이 사업부는 1994년에 [3]쿡슨 전자에 매각되었다.

전 세계에 팔리렌 코팅 서비스 회사가 있지만, 팔리렌은 상업적으로 한정되어 있습니다.[2.2] 파라시클로판 전구체는 팔릴렌 N, C, D, AF-4 및 VT-4에 대해 구입할 수 있다.팔리렌 서비스는 N, C, AF-4, VT-4 및 E(N과 E의 공중합체)에 대해 제공된다.

품종

팔리렌 N

파라옥실렌 중간체를 중합하여 얻은 미치환 폴리머.

염소화 팔릴렌

파릴렌 C의 반복 단위.

페닐환 또는 지방족 브리지상의 수소원자를 다른 관능기로 치환함으로써 파릴렌의 유도체를 얻을 수 있다.이러한 변종들 중 가장 일반적인 것은 아릴 고리에 염소로 대체된 수소 원자를 가진 파릴렌 C이다.또 다른 일반적인 변종은 팔리렌D로 링에 2개의 치환기가 있습니다.

파릴렌C는 전구체 비용이 저렴하고 유전체 및 수분 장벽 특성 및 증착이 용이하기 때문에 가장 많이 사용되는 품종이다.많은 애플리케이션에서 가장 큰 단점은 상온에서 용매 내 불용성입니다. 따라서 부품을 재작업해야 할 때 코팅이 제거되지 않습니다.


팔리렌 C는 또한 상대적으로 비용이 [4]저렴하기 때문에 가장 일반적으로 사용된다.배치 공정에서 높은 수준의 균일성과 적당한 증착 속도를 유지하면서 상온에서 증착할 수 있습니다.

또, Parylene C 반복 유닛의 페닐링상의 염소는, RoHS 준거, 특히 프린트 기판 제조에 있어서 문제가 있다.또한 열분해 중에 아릴-염소 결합을 분해하여 피막을 오염시키는 탄소질 물질과 진공펌프 및 기타 기기에 해를 끼칠 수 있는 염화수소 HCl을 생성함으로써 이합체 전구체의 일부를 분해한다.염소 원자는 모든 온도에서 페닐 고리를 열분해 튜브에 남깁니다. 그러나 열분해 온도를 최적화하면 이 문제를 최소화할 수 있습니다.이 과정에서 발생하는 유리방사성(페닐라디칼)은 공진안정화되지 않고 열분해관 아래쪽에 있는 파릴렌 유사물질의 퇴적을 완화한다.이 물질은 탄화되어 제자리 입자를 발생시켜 클린룸을 오염시키고 종종 '스트링과 결절'이라고 불리는 프린트 회로 기판에 결함을 일으킵니다.Parylene N과 E는 이 문제가 없으므로 제조 및 클린룸 사용에 적합합니다.

불소화 팔릴렌

또 다른 일반적인 할로겐화 변이체는 팔릴렌 AF-4로, 지방족 사슬의 4개의 수소 원자가 불소 원자로 대체되었다.이 변종은 또한 팔릴렌 SF(Kisco)와 HT팔릴렌(SCS)의 상표명으로도 판매된다.에틸렌 사슬을 구성하는 –CF-
2 단위는 PTFE(테프론)의 반복 단위와 동일하며 산화 및 UV 안정성이 우수합니다.Parylene AF-4는 실외 LED 디스플레이와 조명을 물, 소금, 오염물질로부터 성공적으로 보호하기 위해 사용되어 왔습니다.

또 다른 불소화 변종은 팔릴렌 VT-4(일명 팔릴렌 F)이며, 아릴 고리 위의 4개의 수소를 불소로 대체한다.이 변종은 키스코에서 팔린 CF라는 상표로 판매되고 있습니다.지방족 -CH-2 단위 때문에 산화 및 UV 안정성은 떨어지지만 N, C, D보다는 좋다.

알킬 치환 팔릴렌

수소 원자는 또한 알킬기로 대체될 수 있다.치환은 페닐링 또는 에틸렌 브릿지 또는 둘 다에서 발생할 수 있다.

구체적으로는 페닐고리상의 1개의 수소를 메틸기 또는 에틸기로 치환하면 각각 파릴렌M 및 파릴렌E가 된다.

  • Parylene M

    팔린 M

  • Parylene E

    파릴렌 E

  • Parylene AM-2

    파릴렌 AM-2

이러한 치환은 분자간 거리(사슬-사슬)를 증가시켜 폴리머가 더 잘 용해되고 투과되도록 합니다.예를 들어, 파릴렌 C와 비교했을 때, 파릴렌 M은 더 낮은 유전율(1kHz에서 2.48 대 3.2)을 갖는 것으로 나타났다.파릴렌 E는 낮은 인장 계수(175kpi 대 460kpsi), 낮은 유전율(10kHz에서 2.34 대 3.05), 약간 더 나쁜 수분 장벽 특성(4.1 대 0.6g-mil/atom-100in2-24hr), 그리고 1밀리 코팅에 대한 동등한 유전 파괴 5~6kvol)[5][6]을 가졌다.단, 파릴렌N 및 E의 공중합체는 파릴렌C와 동등한 장벽 성능을 가진다.

에틸 브릿지의 각 카본에서 1개의 수소를 메틸로 치환하면 파릴렌 AM-2, [–(CH
3)-(CH
6
4)-(CH
3)CH-]
n가 생성된다(KISCO의 상표인 아민 치환 변종과 혼동하지 말 것).파릴렌 AM-2의 용해성은 파릴렌 E만큼 좋지 않다.

반응성 팔릴렌

파릴렌 코팅은 주로 물이나 다른 화학 물질로부터 물체를 보호하는 데 사용되지만, 일부 애플리케이션은 접착제나 다른 코팅 부품에 결합하거나 염료, 촉매 또는 효소와 같은 다양한 분자를 고정시킬 수 있는 코팅이 필요합니다.

이러한 "반응성" 팔릴렌 코팅은 화학 활성 치환기를 사용하여 얻을 수 있다.시판되고 있는 2개의 제품은, 단위 마다 1개의 아민 치환기 -NH를
2 가지는 파릴렌 A와 단위 마다 1개의 메틸렌 아민기 -CHNH를
2
2 가지는 파릴렌 AM입니다(둘 다 KISCO의 상표입니다).

팔리렌 AM은 A 변종보다 반응성이 높다.페닐링에 인접한 후자의 아민은 공진 안정화 상태이므로 염기가 적다.그러나 팔릴렌 A는 합성하기가 훨씬 쉬우므로 비용이 적게 든다.

Parylene X repeat unit.svg

또 다른 반응 변이체는 페닐 고리에 부착된 에티닐기 –C inCH를 특징으로 하는 파릴렌 X이다.수소와 탄소 외에 다른 원소를 포함하지 않는 이 변종은 열이나 자외선과 가교할 수 있으며 구리 또는 은염과 반응하여 대응하는 금속 유기 복합체 Cu-아세틸라이드 또는 Ag-아세틸라이드를 생성할 수 있습니다.'클릭 케미스트리'를 거쳐 접착제로도 사용할 수 있어 가공 시 부산물 없이 파릴렌과 파릴렌 결합이 가능하다.대부분의 다른 변종과 달리, 파릴렌 X는 비정질(비결정질)이다.

유색 팔릴렌

[2.2] 파라시클로판 염기 분자에 직접 발색단을 부착하여 파릴렌에 [citation needed]색을 부여할 수 있다.

팔릴렌 공중합체

파릴렌의 공중합체[7] 및 나노컴포지트(SiO2/파릴렌C)[8]는 이미 근실온에서 퇴적된 적이 있으며 강한 전자흡입 코모노머에 의해 N-페닐말레이미드와 같은 중합개시제로 사용할 수 있다.파릴렌 C/SiO2 나노복합체를 사용하면 90% 이상의 [9]다공률의 나노공질 실리카 박막을 만들기 위한 희생층으로서 파릴렌 C를 사용할 수 있다.

특성.

투명성과 결정성

파릴렌 박막 및 코팅은 투명하지만 알킬화 파릴렌(즉, 파릴렌 E)을 제외하고는 비정질하지 않습니다.그 결과, 반결정 코팅은 빛을 산란시킵니다.파릴렌N, C는 결정도는 낮지만 파릴렌VT-4, AF-4는 석출상태(육각결정구조)에서 결정성이 높아 광학재료로는 일반적으로 적합하지 않다.

파릴렌 C는 270°C에서 녹는점까지 고온에서 가열하면 결정성이 높아집니다.

파릴렌N은 퇴적상태에서 단사정형 결정구조를 가지며 220℃~6각형의 결정상변환 후 불소화파릴렌과 같이 결정성이 높은 상태가 될 때까지 결정성이 현저하게 높아지지 않는다.최대 400°C의 아닐 온도에서 80%의 결정도에 도달할 수 있으며, 그 후에는 분해됩니다.

기계 및 화학

팔릴렌은 가교된 팔릴렌 X(1.0 GPa)[11]를 제외하고 비교적 유연하며(팔릴렌 N 0.5 GPa),[10] 팔릴렌 AF-4를 제외하고는 내산화성(고장 기준에 따라 60~100 °C)과 UV [12]안정성이 낮다.그러나 팔릴렌 AF-4는 수율이 낮고 증착 효율이 낮은 전구체를 3단계 합성하기 때문에 가격이 더 비싸다.그들의 자외선 안정성은 너무 나빠서 팔리렌은 노랗게 변색되지 않고는 일반 햇빛에 노출될 수 없다.

알킬화 팔릴렌을 제외한 거의 모든 팔릴렌은 상온에서 불용성이며, 그 중 하나는 팔릴렌E 및 알킬화 에티닐 팔릴렌이다.[13]이러한 용해성의 결여로 인해 파릴렌으로 코팅된 프린트 회로 기판의 재작업이 어려워졌습니다.

투과성

할로겐화 파릴렌 코팅의 효과는 수분 확산 장벽으로서 그 밀도에 따라 비선형적으로 확장된다.F, Cl 및 Br과 같은 할로겐 원자는 코팅에 많은 밀도를 더하여 코팅이 더 나은 확산 장벽이 될 수 있습니다. 그러나 파라렌을 물에 대한 확산 장벽으로 사용하면 파릴렌 E와 같은 단극 화학 성분이 훨씬 효과적입니다.습기 장벽의 경우 최적화해야 할 세 가지 주요 재료 매개변수는 코팅 밀도, 코팅 극성(올레핀 화학이 최선) 및 상온보다 높고 이상적으로는 프린트 회로 기판, 장치 또는 부품의 서비스 한계를 초과하는 유리 전이 온도입니다.이 점에서 파릴렌E는 예를 들어 파릴렌C에 비해 밀도가 낮지만 최선의 선택이다.

코팅 공정

일반적으로 파릴렌 코팅은 모노머 파라옥실렌 또는 그 유도체 분위기에서의 화학증착에 의해 적용된다.이 방법에는 매우 강력한 장점이 있습니다. 즉, 반응 챔버에서 제거되어야 하며 중합에 방해가 될 수 있는 파릴렌 폴리머 외에 부산물을 생성하지 않습니다.

필름이 잘 부착되도록 코팅할 부품을 청소해야 합니다.단량체가 확산되기 때문에 코팅되지 않은 영역은 틈새, 균열 또는 기타 개구부 없이 밀폐되어야 한다.부품은 압력과 [14]온도가 비교적 좁은 창으로 유지되어야 합니다.

이 공정에는 가스 모노머 생성, 부품 표면의 흡착 및 흡착막 중합이라는 세 가지 단계가 포함됩니다.

중합

흡착된 p-xylene 모노머의 중합에는 최소 역치 온도가 필요하다.파릴렌 N의 경우 임계 온도는 40 °C이다.

p-xyylene 중간체는 벤조이드 상태(트리플렛 상태)와 퀴노이드 상태(싱글렛 상태)의 두 가지 양자역학 상태를 가진다.삼중항 상태는 효과적으로 개시제이며, 단일항 상태는 효과적으로 단량체이다.트리플렛 상태는 전이 금속 또는 Cu/[15][16]CuO를x 포함한 금속 산화물과 접촉하면 비활성화될 수 있습니다.많은 팔리렌은 팔리렌 X를 포함한 삼중항 상태의 양자 기계적 불활성화에 기초해 이러한 선택성을 나타낸다.

중합은 라디칼기 -CH•
2 또는 음이온기−
2 CH와 같이 성장 사슬의 과도 종단에 차이가 있는 다양한 경로로 진행될 수 있습니다.

가능한 파릴렌 중합 경로.

물리 흡착

단량체는 부품 표면에 물리적으로 흡착(물리 흡착)된 후에만 중합됩니다.이 과정은 역 Arrhenius 역동학을 가지며, 이는 높은 온도보다 낮은 온도에서 더 강하다는 것을 의미합니다.물리 흡착이 실질적으로 없기 때문에 증착이 없는 임계 임계 온도가 존재합니다.증착 온도가 임계값 온도에 가까울수록 물리적 흡착력이 약해집니다.팔리렌 C는 역치 온도가 90°C로 높아 1nm/s보다 훨씬 높은 증착 속도를 가지며,[4] 여전히 상당히 균일한 코팅이 가능합니다.반면 팔릴렌 AF-4의 역치는 상온(30~35°C)에 매우 가깝기 때문에 퇴적효율이 떨어진다.[17]

모노머의 중요한 특성은 이른바 '고착 계수'로, 폴리머에 흡착되는 정도를 나타냅니다.계수가 낮을수록 퇴적 두께가 균일해지고 코팅이 균일해집니다.

증착 과정의 또 다른 관련 특성은 단량체가 표면과 얼마나 강하게 상호작용하는지를 결정하는 분극성이다.할로겐화 팔릴렌의 퇴적은 모노머의 분자량과 강하게 관련된다.불소화 변종은 예외이다. 즉, 파릴렌 AF-4의 분극성이 낮기 때문에 증착이 비효율적이다.

단량체 생성

순환 이합체로부터

고리형 파라옥실렌 이합체 [2.2]파라시클로판

p-xylene 모노머는 일반적으로 비교적 낮은 온도에서 순환 이합체 [2.2]파라-시클로판을 증발시킨 후 450~700 °C에서 증기를 분해하고 0.01~1.0 torr 압력을 가함으로써 코팅 공정 중에 생성된다.이 방법(Gorham Process)은 단량체의 부산물이나 분해 없이 100% 단량체를 생성한다.[18][19][20]

이합체는 브롬화, 아미노화 및 호프만 [21]제거와 관련된 여러 단계를 포함하는 p-자일렌에서 합성될 수 있습니다.

같은 방법으로 치환된 팔리렌을 증착할 수 있다.예를 들어 이합체 전구체 디클로로[2.2]파라-시클로판으로부터 파릴렌C를 얻을 수 있지만 염소-아릴 결합이 680℃에서 깨지기 때문에 온도를 신중하게 제어해야 한다.

Gorham process for parylene AF-4

팔릴렌 AF-4의 표준 Gorham[5] 공정을 위에 나타냅니다.옥타플루오로[2.2]파라-시클로판 전구체 이합체는 -CF-결합이2222 -CH-CH-CH-결합보다 강하기 때문에 치환되지 않은 시클로판을 분해하는 데 사용된 온도(680°C)보다 높은 700~750°C 이하로 승화시켜 분해할 수 있다.이 공진 안정화 중간체는 상온 증착실로 운반되어 저압(1~100mTorr)[17] 조건에서 중합이 발생합니다.

치환된 p-자일렌으로부터

단량체를 생성하는 또 다른 경로는 각 메틸기에 적합한 치환기를 가진 파라-크실렌 전구체를 사용하는 것이며, 그 제거로 파라-옥실렌이 생성된다.

이탈 그룹의 선택은 독성(황 및 아민 기반 반응 제외), 전구체가 얼마나 쉽게 이탈하는지 및 중합에 대한 간섭 가능성을 고려할 수 있다.이탈 그룹은 증착 챔버 앞에 갇히거나 휘발성이 높아 후자에 [22]응축되지 않을 수 있다.

예를 들어 전구체α,α'-디브로모α,α,α'-테트라플루오로파라자실렌(CFBr
2)(
2CH
6
4)은 브롬을 제거한 [23]파릴렌 AF-4를 생성한다.

Monomer route to parylene AF-4.svg

이 과정의 장점은 전구체에 대한 합성 비용이 낮다는 것입니다.전구체는 액체이기도 하며 기화기, 기화기 또는 질량 흐름 제어기와 같은 반도체 산업에서 개발된 표준 방법으로 공급될 수 있습니다.원래 전구체는 [24]열분해되었을 뿐이지만 적절한 촉매가 열분해 온도를 낮추어 잔류물이 적고 [25][26]코팅이 개선되었습니다.어느 하나의 방법으로든 각 메틸단에서 원자 브롬 프리라디칼을 방출하여 브롬화수소 HBr로 변환하여 단량체 흐름에서 제거할 수 있다.브롬과 HBr은 대부분의 금속과 금속 합금에 독성이 있고 부식성이 있으며 브롬은 바이톤 O-링을 손상시킬 수 있으므로 특별한 주의가 필요합니다.

α,α'-디메톡시-p-자일렌

또, 상기 전구체α,α'-디메톡시-p-자일렌을 [27]이용한 파라렌N의 합성도 유사하다.메톡시기
3 HCO-는 퇴적기이며, 퇴적실에서 응축되지만 [22]폴리머의 퇴적을 방해하지 않는다.이 전구체는 [2.2]파라 사이클로판보다 훨씬 저렴합니다.또한 이 전구체는 상온 바로 위의 액체이기 때문에 질량 흐름 제어 장치를 사용하여 안정적으로 전달할 수 있지만, 고함 공정의 가스 모노머 생성 및 전달은 측정 [28]및 제어하기가 어렵습니다.

α,α'-디메틸-α,α'-디메톡시-p-자일렌

전구체α,α'-디메틸-α,α'-디메톡시-p-자일렌에서도 동일한 화학작용으로 파릴렌 AM-2를 생성할 수 있다.

α,α'-헥시α,α,α',α'-테트라플루오로-p-자일렌

이 접근법의 또 다른 예는 α,α'-디페녹시α,α,α',α'-테트라플루오로-파라-자일렌으로부터 파릴렌 AF-4를 합성하는 것이다.이 경우, 이탈기는 페녹시
5 CHO-이며, 퇴적실 전에 [29]응축될 수 있다.

특징과 장점

파라렌은 코팅된 부분에 몇 가지 바람직한 특성을 부여할 수 있다.다른 속성들 중에서, 그것들은

  • 소수성, 내화학성, 대부분 기체(수증기 포함)와 무기 및 유기 액체(강산 및 염기 포함)에 대한 투과성이 없습니다.
  • 유전율이 낮은 양호한 절연체(평균 면내 및 면외: 2.67 파릴렌 AF-4 및 2.5 파릴렌 AF-4, SF, HT)[30]
  • 생물학적 조직에서 안정적이고 인정되며, 다양한 의료 용도로 미국 FDA의 승인을 받았습니다.
  • 1.4nm[31] 이상의 두께를 가진 고밀도 핀홀 프리
  • 균질하고 균일한 두께, 심지어 공동 내에서도 마찬가지입니다.
  • 최대 350°C의 산화까지 안정적(AF-4, SF, HT)
  • 마찰계수가 낮다(AF-4, HT, SF)


코팅 공정은 온화한 진공상태에서 주위 온도에서 이루어지기 때문에 건조한 생체 시료 등 온도에 민감한 물체에도 적용할 수 있다.온도가 낮으면 박막의 내적 응력도 낮아집니다.게다가 증착실에 있는 유일한 기체는 단량체이며, 물체를 공격할 수 있는 용제, 촉매 또는 부산물이 없습니다.

팔릴렌 AF-4와 VT-4는 모두 불소화 처리되어 있으며, 결과적으로 팔릴렌 N과 C에 비해 매우 비싸며, 틈새 용도를 제외하고 상업적인 사용이 크게 제한되어 왔다.

적용들

Parylene C 및 그보다 적은 AF-4, SF, HT(모두 동일한 폴리머)를 프린트회로기판(PCB) 및 의료기기 코팅에 사용한다.파릴렌은 뛰어난 수분 차단제이기 때문에 그 밖에도 여러 가지 응용 분야가 있습니다.스텐트, 제세동기, 심박조절기 및 [32]신체에 영구적으로 이식된 기타 장치에 가장 생체적으로 허용되는 코팅입니다.

분자층

전형적인 분자층 화학은 자가조립 단분자층(SAMs)입니다.SAMs는 황-금속 상호작용(알킬티오르산염)[33] 또는 히드록실화 산화물 표면(트리클로로실릴 알킬 또는 트리알콕시 알킬)[34]과의 솔-겔형 반응에 기초한 긴 사슬 알킬 사슬이다.그러나 금 또는 산화물 표면이 주의 깊게 처리되지 않고 알킬 사슬이 길지 않는 한 이러한 SAM은 무질서한 단분자를 형성하며,[35][36] 이러한 단분자는 잘 포장되지 않습니다.이 패킹이 부족하기 때문에 예를 들어 MEMS [37]디바이스에서 문제가 발생합니다.

팔릴렌이 순서 분자층(ML)을 형성할 수 있다는 관찰은 접촉각 측정과 함께 이루어졌으며, 여기서 10Ω보다 두꺼운 ML은 평형 접촉각 80도(벌크 팔릴렌 N과 동일)이지만 얇은 ML은 접촉각이 [31]감소하였다.이는 금속 절연체 반도체 캐패시터(MISCAP)[38]를 사용한 전기적 측정(바이오 온도 응력 측정)에서도 확인되었습니다.즉, 파릴렌 N 및 AF-4(관능기가 없는 파릴렌)는 최대 14Ω의 핀홀프리이다.이는 파릴렌 반복 장치가 페닐 고리를 가지고 있고 페닐 고리의 높은 전자 분극률로 인해 인접한 반복 장치가 XY 평면에서 정렬되기 때문입니다.이 상호작용의 결과, 전이 금속을 제외하고, 표면 의존적인 파릴렌 ML은 트리플렛(벤조이드) 상태를 비활성화하기 때문에 파릴렌을 개시할 수 없다.공정의 견고성과 ML이 상온에서 퇴적되기 때문에 이러한 분자층으로서의 팔리렌의 발견은 산업 응용에 매우 강력합니다.이와 같이 팔리렌은 확산 장벽으로 사용할 수 있으며 표면의 분극성을 감소시킨다(산화물 표면의 불활성화).반응성 파릴렌의 특성과 고밀도 핀홀 프리 분자층을 형성할 수 있다는 관찰을 결합하여 파릴렌 X를 게놈 배열 계면층으로 활용하였다.

분자층 팔릴렌에 관한 주의사항 중 하나는 [31]고분자가 아닌 올리고머로 퇴적되는 것이다.그 결과 올리고머를 고분자로 변환하기 위해서는 진공 아닐이 필요하다.Parylene N의 경우 250°C인 반면 Payrelene AF-4의 경우 300°C이다.


일반적인 응용 프로그램

팔리렌 필름은 다음을 포함한[1] 다양한 용도로 사용되어 왔습니다.

  • 소수성 코팅(생물의학 호스 등의 습기 장벽)
  • 장벽층(예: 필터, 다이어프램, 밸브용)
  • 마이크로파 전자기기(예: PTFE 유전체 기판의 오일 오염 방지)
  • 이식형 의료기기
  • 거친 환경에서의 센서(예: 자동차 연료/공기 센서)
  • 우주여행과 방어를 위한 전자기기
  • 금속 표면의 부식 방지
  • 미세구조 보강
  • 플라스틱, 고무 등의 유해한 환경조건으로부터 보호
  • 예를 들어 카테터, 침침 및 미세 전기 기계 시스템을 안내하기 위한 마찰 감소.

「 」를 참조해 주세요.

컨포멀 코팅

레퍼런스

  1. ^ a b c Jeffrey B. Fortin; Toh-Ming Lu (2003). Chemical vapor deposition polymerization: the growth and properties of parylene thin films. Springer. pp. 4–7. ISBN 978-1-4020-7688-6.
  2. ^ a b 매톡스, D.M.진공 코팅 기술의 기반 2009-10-07년 스프링어 웨이백 머신, 2003 ISBN 978-3-540-20410-7 Google 북스에서 보관
  3. ^ 2012-01-12년 웨이백 머신에 보관된 SCS 코팅 이력.Scscoatings.com 를 참조해 주세요.2012-06-04에 취득.
  4. ^ a b "Parylene: The Truly Conformal Thin Film Coating" (PDF). Plasma Ruggedized Solutions. PRS.
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