탄도 전자 방출 현미경

Ballistic electron emission microscopy

탄도 전자 방출 현미경 또는 BEEM은 다양한 물질과 물질 인터페이스를 통한 탄도 전자 운송을 연구하는 기술이다. BEEM은 L사가 1988년 미국 캘리포니아주 패서디나의 제트추진연구소에서 개발한 3단말 스캐닝 현미경(STM) 기법이다. 더글러스 벨과 윌리엄 카이저.[1][2][3] 가장 인기 있는 연구 인터페이스는 금속 반도체 쇼트키 다이오드지만 금속-인슐레이터-반도체 시스템도 연구할 수 있다.

BEEM을 수행할 때, STM 팁에서 전자가 쇼트키 다이오드의 접지된 금속 베이스로 주입된다. 이 전자들 중 아주 작은 부분은 금속을 통해 금속-반도체 인터페이스로 탄도학적으로 이동하며, 거기서 쇼트키 장벽에 부딪힐 것이다. 쇼트키 장벽을 극복하기에 충분한 에너지를 가진 전자는 BEEM 전류로 감지될 것이다. STM 팁의 원자 축척 위치 지정 기능은 BEEM 나노미터 공간 분해능을 제공한다. 또한 STM 팁에서 전자 터널링의 좁은 에너지 분포는 BEEM에게 높은 에너지 분해능(약 0.02 eV)을 부여한다.

참조

  1. ^ Kaiser, W.; Bell, L. (1988). "Direct investigation of subsurface interface electronic structure by ballistic-electron-emission microscopy". Physical Review Letters. 60 (14): 1406–1409. Bibcode:1988PhRvL..60.1406K. doi:10.1103/PhysRevLett.60.1406. PMID 10038030.
  2. ^ Bell, L. D.; Kaiser, W. J. (1996). "Ballistic-Electron-Emission Microscopy: A Nanometer-Scale Probe of Interfaces and Carrier Transport". Annual Review of Materials Science. 26: 189–222. Bibcode:1996AnRMS..26..189B. doi:10.1146/annurev.ms.26.080196.001201.
  3. ^ Coratger, R.; Ajustron, F. O.; Beauvillain, J. (1994). "Characterization of the metal-semiconductor interface by ballistic electron emission microscopy". Microscopy Microanalysis Microstructures. 5: 31–40. doi:10.1051/mmm:019940050103100.