스캔 게이트 현미경 검사

Scanning gate microscopy

스캐닝 게이트 현미경(SGM)은 전기적으로 전도성 팁이 움직이는 게이트로 사용되는 스캐닝 프로브 현미경 기법으로 샘플에 정전적으로 결합하고 나노미터 스케일로 전기 운송을 탐사한다.[1][2] 대표적인 샘플은 양자점 접점이나 양자점 등 반도체 이질구조에 기반을 둔 메소스코픽 소자다. 탄소 나노튜브도 조사되었다.

작동 원리

SGM에서는 팁 위치 및 팁 전위의 함수로서 샘플의 전기 전도성을 측정한다. 이는 힘(예: 힘)을 위해 팁을 센서로 사용하는 다른 현미경 기법과는 대조적이다.

개발

SGM은 1990년대 후반 원자력의 현미경으로 개발되었다. 가장 중요한 것은 연구 대상 샘플이 더 높은 온도에서 작동하지 않기 때문에 이러한 샘플은 낮은 온도(흔히 4 켈빈 이하)에서 사용하도록 개조해야 한다는 것이다. 오늘날 전세계 10개의 연구 단체들이 이 기술을 사용하고 있다.

참조

  1. ^ Sellier, H; Hackens, B; Pala, M G; Martins, F; Baltazar, S; Wallart, X; Desplanque, L; Bayot, V; Huant, S (2011). "On the imaging of electron transport in semiconductor quantum structures by scanning-gate microscopy: successes and limitations". Semiconductor Science and Technology. 26 (6): 064008. arXiv:1104.2032. Bibcode:2011SeScT..26f4008S. doi:10.1088/0268-1242/26/6/064008. ISSN 0268-1242.
  2. ^ Gorini, Cosimo; Jalabert, Rodolfo A.; Szewc, Wojciech; Tomsovic, Steven; Weinmann, Dietmar (2013). "Theory of scanning gate microscopy". Physical Review B. 88 (3). arXiv:1302.1151. Bibcode:2013PhRvB..88c5406G. doi:10.1103/PhysRevB.88.035406. ISSN 1098-0121.