텔루라이드 주석
Tin telluride | |
| 이름 | |
|---|---|
| IUPAC 이름 텔루라이드 주석 | |
| 기타 이름 주석(II) 텔루라이드, 스타누스 텔루라이드 | |
| 식별자 | |
3D 모델(JSmol) | |
| ECHA InfoCard | 100.031.728  |
펍켐 CID | |
CompTox 대시보드 (EPA) | |
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| 특성. | |
| SnTe | |
| 어금질량 | 246.31 g/190 |
| 외관 | 그레이 큐빅 크리스털 |
| 밀도 | 6.445 g/cm3 [2] |
| 녹는점 | 790°C(1,450°F, 1,060K) |
| 밴드갑 | 0.18 eV [3] |
| 전자 이동성 | 500cm2−1−1 V s |
| 구조 | |
| 할라이트(쿠빅), cF8 | |
| Fm3m, 225번 | |
a = 0.63nm | |
| 팔면체(Sn2+) 팔면체(Se2−) | |
| 열화학 | |
열 용량 (C) | 185 J K−1 kg−1 |
| 관련 화합물 | |
기타 음이온 | 산화 주석(II) 황화 주석(II) 틴셀레니드 |
기타 양이온 | 단층 탄소 단층 실리콘 게르마늄 텔루라이드 납 텔루라이드 |
달리 명시된 경우를 제외하고, 표준 상태(25°C [77°F], 100 kPa)의 재료에 대한 데이터가 제공된다. | |
 NVERIFI (?란  ? | |
| Infobox 참조 자료 | |
주석 텔루라이드는 주석과 텔루륨(SnTe)의 합성물로 IV-VI 협대역 갭 반도체로 직접 대역 간격이 0.18 eV이다. 납 주석 텔루라이드를 만들기 위해 납과 합금하는 경우가 많은데, 이는 적외선 검출 물질로 사용된다.
주석 텔루라이드는 보통 주석 공실로 p형 반도체(Extrinsic 반도체)를 형성하며 저온 초전도체다.[4]
SnTe는 3개의 수정 단계로 존재한다. 구멍 운반체의 농도가 1.5x1020 cm−3 미만인 저온에서 Tin Telluride는 α-SnTe라고도 알려진 림보헤드 위상에 존재한다. 상온과 대기압에서 Tin Telluride는 β-SnTe로 알려진 NaCl 유사 입방 결정 단계에 존재한다. 18 kbar 압력에서 β-SnTe는 β-SnTe, 정형외과적 위상, 우주군 Pnma로 변환한다.[5] 이번 위상 변화는 γ-SnTe에 대한 밀도가 11%, 저항성이 360% 증가한 것이 특징이다.[6]
주석 텔루라이드는 열전 물질이다. 이론적 연구는 n-type 성능이 특히 좋을 수 있음을 암시한다.[7]
열적 특성
- 표준형성 엔탈피: - 14.6 ± 0.3 kcal/mole 298 K
- 승화의 표준 엔탈피: 52.1 ± 1.4 kcal/mole 298 K
- 열용량: 12.1 + 2.1 x 10−3 T cal/deg
- 반응 SnTe(g)-> Sn(g)+Te(g)를 위한 본드-분산 에너지 : 298K에서 80.6 ± 1.5 kcal/mole
- 엔트로피: 24.2±0.1 cal/mole.deg
- 반응 SnTe-22>2SnTe(g)의 조광화 엔탈피 :46.9 ± 6.0kcal/mole
적용들
일반적으로 Pb는 흥미로운 광학 및 전자적 특성에 접근하기 위해 SnTe와 합금되며, 퀀텀 구속으로 인해 SnTe의 대역 간극이 벌크 밴드 간극을 넘어 증가하여 중간IR 파장 범위를 커버한다. 합금 재료는 중간 IR 광검출기와 열전 발생기에 사용되어 왔다.[10]
참조
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- ^ Lide, David R. (1998), Handbook of Chemistry and Physics (87 ed.), Boca Raton, FL: CRC Press, pp. 4–90, ISBN 978-0-8493-0594-8
- ^ 비티, A. G. J. 애플. 체육, 40, 4818–4821, 1969.
- ^ O. 마들룽, U. 뢰슬러, M. 슐츠; 스프링거머머트리얼즈; sm_lbs_978-3-540-3160-1_859 (Springer-Verlag GmbH, Heidelberg, 1998), http://materials.springer.com/lb/docs/sm_lbs_978-3-540-31360-1_859;
- ^ Hein, R.; Meijer, P. (1969). "Critical Magnetic Fields of Superconducting SnTe". Physical Review. 179 (2): 497. Bibcode:1969PhRv..179..497H. doi:10.1103/PhysRev.179.497.
- ^ "Tin telluride (Sn Te) crystal structure, lattice parameters". Non-Tetrahedrally Bonded Elements and Binary Compounds I. Landolt-Börnstein - Group III Condensed Matter. Vol. 41C. 1998. pp. 1–8. doi:10.1007/10681727_862. ISBN 978-3-540-64583-2.
- ^ 카팔라스, J. A. 마리아노, A.N. 틴 텔루라이드 고압 위상 전환. 과학 1964, 143 (3609), 952-952
- ^ Singh, D. J. (2010). "THERMOPOWER OF SnTe FROM BOLTZMANN TRANSPORT CALCULATIONS". Functional Materials Letters. 03 (4): 223–226. arXiv:1006.4151. doi:10.1142/S1793604710001299.
- ^ 콜린, R.; 익사르트, J. 질량 분광계를 이용한 주석 셀레니드 및 주석 텔루라이드의 열역학 연구. 패러데이 소사이어티 1964, 60(0), 673-683, DOI: 10.1039/TF9646000673.
- ^ Lovett, D. R. 세미메탈과 협대역 반도체; Pione Limited: London, 1977; 7장.
- ^ Das, V.D.; Bahulayan, C., 1% 초과 Te-doped Pb 0.2 Sn 0.8Te 박막 두께의 전기 운송 특성 및 열전 수치. Semiconductor Science and Technology 1995, 10 (12), 1638.
외부 링크
