수은 텔루라이드

Mercury telluride

수은 텔루라이드
Mercury-telluride-unit-cell-3D-balls.png
이름
체계적 IUPAC 이름
수은 텔루라이드
기타 이름
수은 텔루라이드, 수은()II) 텔루라이드
식별자
3D 모델(JSmol)
ECHA InfoCard 100.031.905 Edit this at Wikidata
EC 번호
  • 235-108-9
펍켐 CID
  • InChi=1S/Hg.Te
  • [Te]=[Hg]
특성.
HgTe
어금질량 328.19g/198
외관 검정색 입방정 근처에 있는 것
밀도 8.1 g/cm3
녹는점 섭씨 670도
구조
스팔레라이트, cF8
F43m, 216호
달리 명시된 경우를 제외하고, 표준 상태(25°C [77°F], 100 kPa)의 재료에 대한 데이터가 제공된다.
☒ NVERIFI (?란checkY☒N?
Infobox 참조 자료

수은 텔루라이드(HgTe)는 수은텔루륨의 이항 화학 화합물이다. 반도체 소재 II-VI 그룹과 관련된 세미메탈이다. 대체 명칭은 수은 텔루라이드와 수은이다.II) 텔루라이드

HgTe는 자연에서 콜로라도산 광물로 발생한다.

특성.

달리 명시되지 않은 한 모든 특성은 표준 온도와 압력에 있다. 격자 매개변수는 입방 결정 형태로 약 0.646 nm이다. 벌크 계수는 약 42.1 GPA이다. 열팽창계수는 약 5.2×10−6/K이다. 정적 유전체 상수 20.8, 동적 유전체 상수 15.1. 열전도도는 2.7 W·m2/(m·K)로 낮다. HgTe 본드는 경도가 낮은 값으로 약하다. 경도 2.7×107 kg/m2.[1][2][3]

도핑

붕소, 알루미늄, 갈륨 또는 인듐과 같은 원소로 N형 도핑을 달성할 수 있다. 요오드와 철분 또한 n타입이 될 것이다. HgTe는 수은 공실로 인해 자연스럽게 p타입이 된다. P형 도핑은 아연, 구리, 은, 금을 도입하여 달성하기도 한다.[1][2]

화학

HgTe 채권은 약하다. 그들의 형성 엔탈피는 약 -32kJ/mol로, 관련 복합 카드뮴 텔루라이드 값의 3분의 1 미만이다. HgTe는 하이드로브롬산과 같은 산에 의해 쉽게 식각된다.[1][2]

성장

대량 성장은 수은과 텔루륨이 높은 수은 증기압력 앞에서 녹으면서 발생한다. 예를 들어 HgTe는 가래로 또는 금속 유기 증기상 에피택스에 의해 상피적으로 재배될 수 있다.[1][2]

고유한 물리적 속성

탄소 나노튜브에 내장된 HgTe 나노와이어의 전자 마이크로그래프(오른쪽)와 영상 시뮬레이션(왼쪽)이 결합됐다.[4]

2007년에는 수은 텔루라이드 양자(mercury-telluride 퀀텀)가 독특한 새로운 물질 상태, 즉 '위상학적 절연체'를 잘 보여준다는 것이 이론적으로나 실험적으로 모두 드러났다. 이 단계에서는 벌크가 절연체일 때 샘플 에지에 가깝게 제한된 전자 상태에 의해 전류가 전달될 수 있다. 양자 효과와 달리, 여기서는 이러한 독특한 행동을 만들어내기 위해 자기장이 필요하지 않다. 또한, 반대 방향의 가장자리 상태는 반대 방향의 회전 투영을 가진다.[5]

참고 항목

참조

  1. ^ a b c d Brice, J. 및 Capper, P. (eds) (eds) (1987) 수은 카드뮴 텔루라이드, EMIS 데이터 뷰, INSURC, IEE, 영국 런던.
  2. ^ a b c d Capper, P. (ed.) (1994) 협갑 카드뮴 기반 화합물의 특성 영국 런던 IEEE, INVEC. ISBN0-85296-880-9
  3. ^ Boctor, N.Z.; Kullerud, G. (1986). "Mercury selenide stoichiometry and phase relations in the mercury-selenium system". Journal of Solid State Chemistry. 62 (2): 177. Bibcode:1986JSSCh..62..177B. doi:10.1016/0022-4596(86)90229-X.
  4. ^ Spencer, Joseph; Nesbitt, John; Trewhitt, Harrison; Kashtiban, Reza; Bell, Gavin; Ivanov, Victor; Faulques, Eric; Smith, David (2014). "Raman Spectroscopy of Optical Transitions and Vibrational Energies of ~1 nm HgTe Extreme Nanowires within Single Walled Carbon Nanotubes" (PDF). ACS Nano. 8 (9): 9044–52. doi:10.1021/nn5023632. PMID 25163005.
  5. ^ König, M; Wiedmann, S; Brüne, C; Roth, A; Buhmann, H; Molenkamp, L. W.; Qi, X. L.; Zhang, S. C. (2007). "Quantum Spin Hall Insulator State in HgTe Quantum Wells". Science. 318 (5851): 766–770. arXiv:0710.0582. Bibcode:2007Sci...318..766K. doi:10.1126/science.1148047. PMID 17885096.

외부 링크