이황화 하프늄
Hafnium disulfide이름 | |
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IUPAC 이름 이황화 하프늄 | |
식별자 | |
3D 모델(JSmol) | |
켐스파이더 | |
ECHA InfoCard | 100.038.738 |
펍켐 CID | |
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특성. | |
HfS2 | |
어금질량 | 246.62 g/190[1] |
외관 | 브라운 솔리드 |
밀도 | 6.03 g/cm3[1] |
밴드 갭 | ~1.8 eV(간접)[2] |
구조 | |
hP3, P3m1, 164번[3] | |
a = 0.363nm, c = 0.584nm | |
공식 단위(Z) | 1 |
관련 화합물 | |
기타 음이온 | 이산화합물 |
기타 양이온 | 이황화 텅스텐 이황화 몰리브덴 |
달리 명시된 경우를 제외하고, 표준 상태(25°C [77°F], 100 kPa)의 재료에 대한 데이터가 제공된다. | |
NVERIFI (?란 ? | |
Infobox 참조 자료 | |
이황화 하프늄은 하프늄과 유황의 무기 화합물이다.화학식이 HfS인2 레이어드 디칼코제네이드다.이 물질의 몇 개의 원자층은 표준 Scotch Tape 기법(그래핀 참조)을 사용하여 각질을 제거할 수 있으며, 전계효과 트랜지스터 제작에 사용할 수 있다.[4]액체상 각질제거를 이용한 HfS의2 고수익 합성도 실증되어 안정적인 소층 HfS2 플레이크가 생산되고 있다.[5]이황화합물 하프늄 분말은 황화수소 및 산화물 하프늄을 500–1300°C에서 반응시켜 만들 수 있다.[6]
참조
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- ^ a b Haynes, William M., ed. (2011). CRC Handbook of Chemistry and Physics (92nd ed.). Boca Raton, FL: CRC Press. p. 4.66. ISBN 1-4398-5511-0.
- ^ Terashima, K.; Imai, I. (1987). "Indirect absorption edge of ZrS2 and HfS2". Solid State Communications. 63 (4): 315. Bibcode:1987SSCom..63..315T. doi:10.1016/0038-1098(87)90916-1.
- ^ Hodul, David T.; Stacy, Angelica M. (1984). "Anomalies in the properties of Hf(S2−xTex)1-y and Hf(Se2−xTex)1-y near the metal-insulator transition". Journal of Solid State Chemistry. 54 (3): 438. Bibcode:1984JSSCh..54..438H. doi:10.1016/0022-4596(84)90176-2.
- ^ Kanazawa, Toru; Amemiya, Tomohiro; Ishikawa, Atsushi; Upadhyaya, Vikrant; Tsuruta, Kenji; Tanaka, Takuo; Miyamoto, Yasuyuki (2016). "Few-layer HfS2 transistors". Scientific Reports. 6: 22277. Bibcode:2016NatSR...622277K. doi:10.1038/srep22277. PMC 4772098. PMID 26926098.
- ^ Kaur, Harneet (2017). "High Yield Synthesis and Chemical Exfoliation of Two-Dimensional Layered Hafnium Disulphide". Nano Research. arXiv:1611.00895. doi:10.1007/s12274-017-1636-x.
- ^ Kaminskii, B. T.; Prokof'eva, G. N.; Plygunov, A. S.; Galitskii, P. A. (1973-07-01). "Manufacture of zirconium and hafnium sulfide powders". Soviet Powder Metallurgy and Metal Ceramics. 12 (7): 521–524. doi:10.1007/BF00796747.