인듐 비소화

Indium arsenide
인듐 비소화[1]
Sphalerite-unit-cell-3D-balls.png
Indium arsenide.jpg
이름
IUPAC 이름
인듐(III) 비소
기타 이름
인듐 모노아르세니드
식별자
3D 모델(JSmol)
켐스파이더
ECHA InfoCard 100.013.742 Edit this at Wikidata
펍켐 CID
유니
  • InChi=1S/As.인 checkY
    키: RPQDHPTXJ야엽크-우흐프파오야-N checkY
  • InChi=1/As.In/RAsIn/c1-2
    키: RPQDHPTXJ야유프크-FVESRWMKAB
  • [In+3][As-3]
  • [In]#[As]
특성.
InAs
어금질량 189.740 g/189
밀도 5.67 g/cm3
녹는점 942°C(1,728°F, 1,215K)
밴드 갭 0.354 eV(300 K)
전자 이동성 40000cm2/(V*s)
열전도도 0.27 W/(cm*K)(300K)
3.51
구조
아연 블렌드
a = 6.0583 å
열화학
47.8 J·몰−1·K−1
75.7 J·몰−1·K−1
-58.6 kJ·mol−1
위험
안전 데이터 시트(SDS) 외부 SDS
GHS 라벨 표시:
GHS06: ToxicGHS08: Health hazard[2]
위험[2]
H301, H331[2]
P261, P301+P310, P304+P340, P311, P405, P501[2]
NFPA 704(화재 다이아몬드)
4
0
0
관련 화합물
기타 음이온
 질화 인듐
인듐인산화물
인듐 안티모니드
기타 양이온
 비소화 갈륨
달리 명시된 경우를 제외하고, 표준 상태(25°C [77°F], 100 kPa)의 재료에 대한 데이터가 제공된다.
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Infobox 참조 자료

인듐 비소화, InAs, 또는 인듐 모노아세니드는 인듐과 비소로 구성된 반도체다. 용융점이 942°C인 회색 입방 크리스털의 외관을 가지고 있다.[3]

인듐 비소는 적외선 검출기 구조에 사용되며, 파장 범위는 1~3.8µm이다. 검출기는 보통 태양광 광다이오드다. 극저온 냉각 검출기는 소음이 낮지만 InAs 검출기는 실온에서도 고출력 애플리케이션에서 사용할 수 있다. 인듐 비소는 다이오드 레이저 제조에도 사용된다.

인듐비소는 갈륨비소와 유사하며 직접 밴드갭 소재다.

인듐 비소는 인듐 인산염과 함께 사용되기도 한다. 갈륨 비소와 합금하여 인듐 갈륨 비소를 형성한다. 인/가 비율에 따라 밴드 간극이 있는 물질로, 질산 갈륨을 질산 갈륨과 합금하여 질산 갈륨을 산출하는 것과 주로 유사한 방식이다. 인듐 비소화물은 인듐 인산염과 인듐 안티몬화합금을 합금하여 성분들의 농도비(InP, InAs, InSb)에 따라 달라지는 다양한 대역 간극을 가진 쿼터너리 합금을 만들기도 한다(Indium phosphide, Indium Antimonide, Indium Antimonide, Indium Antimonide). 이러한 쿼터너리합금은 그 성질에 대한 압력의 영향을 연구하기 위해 광범위한 이론 연구가 진행되었다.[4]

인아스는 전자 이동성이 높고 에너지 밴드갭이 좁기로 잘 알려져 있다. 강력한 광데버 방출기여서 테라헤르츠 방사선원으로 널리 사용된다.

양자점은 인듐인산염이나 갈륨비소에 인듐비소화합물을 모노레이어로 형성할 수 있다. 재료의 격자 상수 불일치는 표면층에 긴장을 유발하며, 이는 양자점 형성으로 이어진다.[5] 인듐 갈륨 비소에서도 인듐 비소 도트가 갈륨 비소 매트릭스에 자리 잡음으로써 양자점들이 형성될 수 있다.

광전자적 특성과 포논 진동은 0K에서 500K까지의 범위에 걸친 온도의 영향으로 약간 변화한다.[6]

참조

  1. ^ Lide, David R. (1998), Handbook of Chemistry and Physics (87 ed.), Boca Raton, FL: CRC Press, pp. 4–61, ISBN 0-8493-0594-2
  2. ^ a b c d "Indium Arsenide". American Elements. Retrieved October 12, 2018.
  3. ^ "Thermal properties of Indium Arsenide (InAs)". Retrieved 2011-11-22.
  4. ^ Degheidy, A. R.; AbuAli, A. M.; Elkenany, Elkenany. B. (2021-05-18). "Phonon frequencies, mechanical and optoelectronic properties for InPxAsySb1-x-y/InAs alloys under the influence of pressure". Applied Physics A. 127 (6): 429. doi:10.1007/s00339-021-04551-4.
  5. ^ "oe magazine - eye on technology". Archived from the original on 2006-10-18. Retrieved 2011-11-22.
  6. ^ Degheidy, Abdel Razik; Elkenany, Elkenany Brens; Madkour, Mohamed Abdel Kader; Abuali, Ahmed. M. (2018-09-01). "Temperature dependence of phonons and related crystal properties in InAs, InP and InSb zinc-blende binary compounds". Computational Condensed Matter. 16: e00308. doi:10.1016/j.cocom.2018.e00308.

외부 링크