3 µm 공정

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반도체 장치 날조
MOSFET 스케일링 (프로세스 노드)
020 µm – 1968 010 µm – 1971 006 µm – 1974 003 µm ~ 1977 1.5 µm – 1981 001 µm – 1984 800nm ~ 1987 600nm – 1990 350nm – 1993 250nm~1996 180nm ~ 1999 130nm – 2001 090nm – 2003 065nm – 2005 045nm – 2007 032nm – 2009 022nm – 2012 014nm – 2014 010nm – 2016 007nm – 2018 005nm – 2020 003nm – 2022
미래. 002nm ~ 2024
하프노즈 밀도 CMOS 장치(멀티게이트) 무어의 법칙 트랜지스터수 반도체 산업 나노전자
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3μm 공정은 인텔 등 ^[1][2]유수의 반도체 기업들이 1977년경 도달한 모스펫 반도체 공정 기술 수준입니다.

3 μm 제조 공정을 특징으로 하는 제품

• 인텔의 8085, 8086, 8088 CPU는 1976년, 1978년, 1979년에 각각 3.2μm의 NMOS(HMOS) 공정을 사용하여 제조되었습니다.^{[1][failed verification][3][dubious – discuss]}
• 1978년 출시된 히타치의 4kbit HM6147 SRAM 메모리 칩은 3μm의 트윈웰 CMOS 공정을 선보였습니다.^[4]
• 1979년 출시된 모토로라 68000(MC68000) CPU는 원래 3.5μm의 기능 크기를 가진 HMOS 공정을 사용하여 제작되었습니다.^{[5][circular reference]}
• ARM1은 1985년에 출시되어 3μm 공정으로 제조되었습니다.^[6]

참고문헌

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