350 nm 프로세스

350 nm process

350nm 공정은 Sony, IntelIBM같은 선도적인 반도체 회사가 1993-1996년에 도달한 MOSFET 반도체 공정 기술 수준을 말합니다.

채널 길이가 300 nm인 MOSFET는 K가 이끄는 연구팀에 의해 제작되었다.1985년 [1]일본전신전화(NTT)의 데구치 카즈히코 코마츠씨.

350 nm 제조 공정을 갖춘 제품

레퍼런스

  1. ^ Deguchi, K.; Komatsu, Kazuhiko; Miyake, M.; Namatsu, H.; Sekimoto, M.; Hirata, K. (1985). "Step-and-Repeat X-ray/Photo Hybrid Lithography for 0.3 μm Mos Devices". 1985 Symposium on VLSI Technology. Digest of Technical Papers: 74–75. ISBN 4-930813-09-3.
  2. ^ "Memory". STOL (Semiconductor Technology Online). Retrieved 25 June 2019.
  3. ^ "Reality Co-Processor − The Power In Nintendo64" (PDF). Silicon Graphics. Archived from the original (PDF) on 19 May 2020. Retrieved 18 June 2019.
  4. ^ "Propeller I semiconductor process technology? Is it 350nm or 180nm? - Parallax Forums". Forums.parallax.com. Archived from the original on 10 July 2012. Retrieved 13 September 2015.
선행
600 nm
CMOS 제조 프로세스 에 의해 성공자
250 nm