22nm 공정

반도체 장치 날조
MOSFET 스케일링 (프로세스 노드)
010µm – 1971 006 µm – 1974년 003 µm – 1977 1.5µm – 1981년 001 µm – 1984 800nm – 1987 600nm – 1990 350nm – 1993년 250nm – 1996년 180nm – 1999년 130nm – 2001 090nm – 2003 065 nm – 2005 045 nm – 2007 032nm – 2009년 022nm – 2012 014nm – 2014년 010nm – 2016 007nm – 2018 005 nm – 2020
미래 003nm ~ 2023년 002 nm ~ 2024
하프노드 밀도 CMOS 장치(멀티게이트) 무어의 법칙 트랜지스터 수 반도체 산업 나노전자공학
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22nm 노드는 CMOS MOSFET 반도체 소자 제작에서 32nm에 이은 공정 단계다.이 프로세스를 사용하는 메모리 셀의 일반적인 하프 피치(즉, 배열의 동일한 형상 사이의 절반 거리)는 약 22nm이다.^{[citation needed]}2008년 반도체 업체들이 램 메모리에 사용하기 위해 처음 시연했다.2010년 도시바는 24nm 플래시 메모리 칩 출하를 시작했고, 삼성전자는 20nm 플래시 메모리 칩 양산을 시작했다.22nm 프로세스를 이용한 최초의 소비자 수준의 CPU 제공은 2012년 4월 인텔 아이비 브리지 프로세서로 시작되었다.

ITRS 2006 Front End Process Update는 동일한 물리적 산화물 두께가 22nm 노드에서 예상되는 값인 0.5nm(실리콘 원자 직경의 약 2배) 이하로 스케일링되지 않음을 나타낸다.이것은 이 지역의 CMOS 스케일링이 이 시점에서 벽에 도달했다는 것을 암시하는 것으로, 어쩌면 무어의 법칙을 교란시킬 수도 있다.

20나노미터 노드는 22나노미터 공정에 기초한 중간 반노드 다이 수축이다.

TSMC는 2014년부터 20nm 노드 양산을 시작했다.^[1]22nm 공정은 2014년 상용 14nm FinFET 기술로 대체됐다.

테크놀로지 데모

In 1998, FinFET devices down to 17 nm were demonstrated by an international team of researchers working at UC Berkeley, led by Digh Hisamoto from Japan's Hitachi Central Research Laboratory and Chenming Hu from the Taiwan Semiconductor Manufacturing Company (TSMC), along with Wen-Chin Lee, Jakub Kedzierski, Erik Anderson, Hideki Takeuchi, Kazuya As아노, 쓰재왕 류, 제프리 보코.^[2]2000년 12월, 같은 연구팀에 의해 20nm FinFET 공정이 실증되었다.^[3]

2008년 8월 18일, AMD, 프리스케일, IBM, STMicroelectronics, Toshiba, CNSE(College of Nanoscale Science and Engineering)는 메모리 셀 크기가 불과 0.1μm인² 300mm 웨이퍼에 기존의 6트랜지스터 설계를 기반으로 한 22nm SRAM 셀을 공동으로 개발, 제조했다고 발표했다.^[4]그 세포는 몰입식 석판화를 사용하여 인쇄되었다.^[5]

22nm 노드는 게이트 길이가 반드시 기술 노드 지정보다 작지 않은 첫 번째 노드일 수 있다.예를 들어, 22nm 노드에 대해 25nm 게이트 길이가 일반적일 수 있다.

인텔은 2009년 9월 22일 인텔 개발자 포럼 가을 기간 중 22nm 웨이퍼를 선보이며 2011년 하반기에 22nm 기술 칩을 출시한다고 발표했다.^[6]SRAM 셀 크기는 0.092 μm로² 현재까지 보고된 가장 작은 크기라고 한다.

2010년 1월 3일 인텔과 마이크론 테크놀로지는 25NM NAND 기기 제품군 중 첫 번째 제품을 발표했다.

2011년 5월 2일 인텔은 3-D 트라이게이트라는 FinFET 기술을 사용하여 최초의 22nm 마이크로프로세서, 코드네임 아이비 브리지(Codenamed Ivy Bridge)를 발표했다.^[7]

IBM의 POWER8 프로세서는 22nm SOI 공정으로 생산된다.^[8]

출고된 장치

• 도시바는 2010년 8월 31일 24nm 플래시 메모리 낸드 장치를 출하한다고 발표했다.^[9]
• 삼성전자는 2010년 20nm 공정으로 64gbit 낸드플래시 메모리 칩 양산을 시작했다.^[10]
• 또 2010년 하이닉스는 20nm 공정으로 64gbit 낸드플래시 메모리 칩을 선보였다.^[11]
• 2012년 4월 23일, 시리즈 7 칩셋용 인텔 아이비 브리지 22nm 기술을 기반으로 한 인텔 코어 i7과 인텔 코어 i5 프로세서가 전 세계적으로 판매되기 시작했다.^[12]2011년 10월 19일 폴 오텔리니 전 인텔 최고경영자(CEO)가 확인한 22nm 프로세서의 대량생산이 6개월 이상 앞당겨졌다.^[13]
• 2013년 6월 3일 인텔은 시리즈 8 칩셋용 22nm 트라이게이트 핀펫 기술에 인텔 해스웰 마이크로아키텍처 기반의 인텔 코어 i7과 인텔 코어 i5 프로세서를 출하하기 시작했다.^[14]

참조

선행자 32nm(CMOS)

모스펫 제조 공정

성공자 14nm(FinFET)