트리에틸갈륨
Triethylgallium | |
| 이름 | |
|---|---|
| IUPAC 이름 트리에틸갈레인 | |
| 체계적 IUPAC 이름 트리에틸갈륨 | |
| 식별자 | |
3D 모델(JSmol) | |
| 켐스파이더 | |
| ECHA InfoCard | 100.012.939  |
펍켐 CID | |
CompTox 대시보드 (EPA) | |
| |
| 특성. | |
| CHGA615 | |
| 어금질량 | 156.9 g/190 |
| 외관 | 무색의 투명한 액체 |
| 녹는점 | -82.3°C(-116.1°F, 190.8K) |
| 비등점 | 143°C(289°F, 416K) |
| 반응하다[1] | |
| 위험 | |
| 산업안전보건(OHS/OSH): | |
주요 위험 | 화성의 |
달리 명시된 경우를 제외하고, 표준 상태(25°C [77°F], 100 kPa)의 재료에 대한 데이터가 제공된다. | |
| Infobox 참조 자료 | |
트리에틸갈륨(Triethylgalium, Ga(CH25)3 또는 TEGA는 복합 반도체의 금속 유기 증기상 에피택시(MOVPE)용 갈륨의 금속 유기원이다.
특성.
TEGA는 투명하고 무색, 화로포닉 액체로[2] 주의해서 취급해야 한다.
적용들
TEGA를 사용하여 재배한 필름의 탄소 불순물 농도가 낮은 것으로 나타났기 때문에 복합 반도체의 금속 유기 증기 단계 에피택스에서 TEGa는 트리메틸갈륨의 유용한 대안이 될 수 있다.[3]
참조
- ^ amdg.ece.gatech.edu/msds/mo/teg_epichem.pdf
- ^ Shenaikhatkhate, D; Goyette, R; Dicarlojr, R; Dripps, G (2004). "Environment, health and safety issues for sources used in MOVPE growth of compound semiconductors". Journal of Crystal Growth. 272: 816. Bibcode:2004JCrGr.272..816S. doi:10.1016/j.jcrysgro.2004.09.007.
- ^ Saxler, A; Walker, D; Kung, P; Zhang, X; Razeghi, M; Solomon, J; Mitchel, W; Vydyanath, H (1997). "Comparison of trimethylgallium and triethylgallium for the growth of GaN" (PDF). Applied Physics Letters. 71: 3272. Bibcode:1997ApPhL..71.3272S. doi:10.1063/1.120310.
