전류원

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전류원은 전압과 무관한 전류를 공급하거나 흡수하는 전자 회로입니다.

전류원은 전압원의 이중입니다.전류 싱크라는 용어는 음전압 공급기에서 공급되는 소스를 가리키는 말로 사용되기도 합니다.그림 1은 저항 부하를 구동하는 이상적인 전류원에 대한 도식 기호를 보여줍니다.두 종류가 있다.독립 전류 소스(또는 싱크)는 정전류를 공급합니다.종속 전류원은 회로의 다른 전압 또는 전류에 비례하는 전류를 공급합니다.

배경

이상적인 전류원은 전압 변화와 무관한 전류를 생성합니다.이상적인 전류원은 수학 모델이며, 실제 소자는 매우 근접하게 접근할 수 있습니다.이상적인 전류원을 통과하는 전류를 회로의 다른 변수와 독립적으로 지정할 수 있는 경우, 이를 독립 전류원이라고 합니다.반대로 이상적인 전류원을 통과하는 전류가 회로의 다른 전압 또는 전류에 의해 결정되는 경우 이를 종속 전류원 또는 제어 전류원이라고 합니다.이러한 선원에 대한 기호는 그림 2에 나와 있습니다.

이상적인 전류원의 내부 저항은 무한합니다.전류가 0인 독립 전류원은 이상적인 개방 회로와 동일합니다.이상적인 전류원의 전압은 연결된 회로에 의해 완전히 결정됩니다.단락 회로에 연결하면 전압이 0이므로 전원이 공급되지 않습니다.부하 저항에 연결된 경우 전류 소스는 전류를 일정하게 유지하는 방식으로 전압을 관리합니다. 따라서 이상적인 전류 소스에서 부하 저항이 무한대(개방 회로)에 가까워지면 소스 전체의 전압이 무한대에 도달합니다.

이상적인 물리 전류원은 없습니다.예를 들어, 개방 회로에 적용하면 물리 전류원을 작동할 수 없습니다.현실에서 전류원을 정의하는 두 가지 특성이 있습니다.하나는 내부 저항이고 다른 하나는 컴플라이언스 전압입니다.준수 전압은 전류 소스가 로드에 공급할 수 있는 최대 전압입니다.특정 부하 범위에 걸쳐 일부 유형의 실전류 소스는 거의 무한대에 가까운 내부 저항을 나타낼 수 있습니다.그러나 전류 소스가 컴플라이언스 전압에 도달하면 전류 소스가 되지 않게 됩니다.

회로해석에서는 그 저항값을 이상적인 전류원(노턴 등가회로)에 걸쳐 배치함으로써 내부저항이 유한한 전류원을 모델링한다.그러나 이 모델은 전류 소스가 컴플라이언스 전압 내에서 작동하는 경우에만 유용합니다.

실장

이상적인 전류원에 가까운 실제 구성 요소는 여러 가지 방법으로 구성할 수 있습니다.

수동 전류원

가장 단순한 비이상 전류 소스는 저항기와 직렬로 연결된 전압 소스로 구성됩니다.이러한 소스에서 사용할 수 있는 전류의 양은 전압 소스와 저항 사이의 전압 비율(Ohm의 법칙, I = V/R)로 제공됩니다.이 전류 값은 단자 간 전압 강하가 0인 부하에만 전달됩니다(단락, 충전되지 않은 캐패시터, 충전된 인덕터, 가상 접지 회로 등).단자(저항이 유한한 선형 또는 비선형 저항, 충전된 캐패시터, 충전되지 않은 인덕터, 전압 소스 등)를 통해 0이 아닌 전압(강하)으로 부하에 공급되는 전류는 항상 다릅니다.저항기 전체의 전압 강하 비율(여진 전압과 부하 전체의 전압의 차이)로 구할 수 있습니다.

거의 이상적인 전류 소스의 경우 저항의 값이 매우 커야 하지만, 이는 지정된 전류에 대해 전압 소스가 매우 커야 함을 의미합니다(저항과 전압이 무한대로 되면 전류 소스가 이상적이 되고 전류는 로드 전체의 전압에 전혀 의존하지 않음).따라서 효율이 낮으며(저항의 전원 손실로 인해) 이러한 방식으로 '좋은' 전류 소스를 구성하는 것은 일반적으로 비현실적입니다.그럼에도 불구하고, 그러한 회로가 지정된 전류 및 부하 저항이 작을 때 적절한 성능을 제공하는 경우가 많습니다.예를 들어 4.7kΩ 저항과 직렬로 연결된 5V 전압 소스는 50~450Ω 범위의 로드 저항에 약 1mA ± 5%의 정전류를 제공합니다.

Van de Graff 발전기는 이러한 고전압 전류원의 한 예입니다.매우 높은 출력 전압과 매우 높은 출력 저항으로 인해 거의 일정한 전류 소스로 작동하므로 대규모 실험실 버전에서는 최대 수십만 볼트(또는 수십 메가볼트)의 출력 전압에서 동일한 마이크로암페어를 공급합니다.

음의 피드백이 없는 활성 전류 소스

이러한 회로에서는 출력 전류가 모니터링되지 않고 음의 피드백에 의해 제어되지 않습니다.

현재 안정적인 비선형 구현

이러한 구성 요소는 일정한 입력량(전류 또는 전압)에 의해 구동될 때 전류 안정 비선형 출력 특성을 가진 능동형 전자 구성 요소(트랜지스터)에 의해 구현됩니다.이러한 회로는 전류 변동을 보상하기 위해 현재 저항을 변경하는 동적 저항으로 작동합니다.예를 들어 부하가 저항을 증가시키면 트랜지스터는 회로에서 일정한 총 저항을 유지하기 위해 현재의 출력 저항을 감소시킵니다(및 그 반대도 마찬가지).

능동 전류원은 전자 회로에서 많은 중요한 용도로 사용됩니다.아날로그 집적회로(예: 차동증폭기)에서 오믹 저항 대신 부하 전체의 전압에 약간 의존하는 전류를 생성하는 데 자주 사용됩니다.

정전압 입력 전류 또는 전압에 의해 구동되는 공통 이미터 구성과 정전압에 의해 구동되는 공통 소스(공통 음극)는 자연스럽게 전류 소스(또는 싱크)로서 동작합니다.이는 이러한 장치의 출력 임피던스가 자연스럽게 높기 때문입니다.단순 전류 미러의 출력 부분은 집적 회로에서 널리 사용되는 이러한 전류원의 예입니다.공통 베이스, 공통 게이트 및 공통 그리드 구성도 정전류 소스로 사용할 수 있습니다.

JFET는 게이트를 소스에 결합함으로써 전류원으로 동작시킬 수 있다.그 후 흐르는 전류는 FET의_DSS I입니다.이러한 장치는 이미 연결된 상태에서 구입할 수 있으며, 이 경우 장치를 전류 조절기 다이오드 또는 정전류 다이오드 또는 전류 제한 다이오드(CLD)라고 합니다.인핸스먼트 모드 N채널 MOSFET(금속산화물반도체 전계효과 트랜지스터)를 아래 회로에 사용할 수 있다.

다음 전압 구현

예를 들어 부트스트랩된 전류 ^[1]소스입니다.

전압 보정 구현

단순 저항 수동 전류 소스는 전압이 0일 때만 이상적입니다. 따라서 병렬 음의 피드백을 적용하여 전압 보상을 고려하는 것이 소스를 개선할 수 있습니다.피드백이 있는 운영 증폭기는 입력에 걸쳐 전압을 최소화하도록 효과적으로 작동합니다.따라서 반전 입력이 피드백 또는 부하를 통해 흐르는 전류와 수동 전류원으로 가상 접지가 됩니다.입력 전압 소스, 저항기 및 op-amp는 값_OUT I_IN = V/R인 "고정" 전류 소스를 구성합니다.트랜스임피던스 앰프와 op-amp 반전 앰프는 이 아이디어의 전형적인 구현입니다.

플로팅 부하는 이 회로 솔루션의 심각한 단점입니다.

현재의 보상 실시

대표적인 예로 Howland 전류원과^[2] 그 파생 Deboo ^[3]인테그레이터가 있습니다.마지막 예(그림 1)에서 Howland 전류원은 입력 전압원 V_IN, 양의 저항, R, 부하(커패시터 C, 임피던스 Z로 작동) 및 음의 임피던스 변환기 INIC(R₁₂ = R = R₃ 및 op-amp)로 구성됩니다.입력 전압원과 저항 R은 부하를 통과하는 전류 I를 구성합니다_R(전원의 그림 3).INIC는 부하를 통해 "도움" 전류 I를_−R 전달하는 두 번째 전류원으로 작동합니다.그 결과 부하를 흐르는 총전류가 일정하고 입력원이 보는 회로임피던스가 증가한다.그러나 Howland 전류원은 4개의 저항이 완벽하게 일치해야 하고 고주파에서 ^[4]임피던스가 떨어지기 때문에 널리 사용되지 않습니다.

접지 부하는 이 회로 솔루션의 장점입니다.

부정적인 피드백이 있는 전류 소스

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이들은 일정한 입력 전압 소스(즉, 음의 피드백 전압 안정기)에 의해 구동되는 직렬 음의 피드백이 있는 전압 팔로어로 구현됩니다.전압 팔로어는 피드백 루프에 연결된 단순 전류-전압 변환기 역할을 하는 상수(전류 감지) 저항기에 의해 로드됩니다.이 전류 소스의 외부 로드는 전류 감지 저항을 공급하는 전류의 경로 중 어딘가에서 연결되지만 피드백 루프에서 벗어납니다.

Voltage follower는 로드를 통과하는 출력 전류_OUT I을 조정하여_R 전류 감지 저항 R에서 전압 강하 V = IR이_OUT 일정한 입력 전압_IN V와 같도록 합니다.따라서 전압 안정기는 일정한 저항에서 일정한 전압 강하를 유지합니다. 따라서 정전류_OUT I = V_R/R = V_IN/R이 저항을 통과하고 부하를 통과합니다.

입력 전압이 변동하는 경우 이 배열은 전압-전류 변환기(전압 제어 전류원, VCCS)로 작동하며, 역방향(부정 피드백에 의한) 전류-전압 변환기로 간주할 수 있습니다.저항 R은 전송비(트랜스컨덕턴스)를 결정한다.

직렬 음의 피드백이 있는 회로로 구현되는 전류 소스는 전류 감지 저항의 전압 강하가 로드 전체의 최대 전압(준수 전압)을 감소시킨다는 단점이 있습니다.

단순 트랜지스터 전류원

정전류 다이오드

가장 간단한 정전류 소스 또는 싱크는 하나의 구성 요소, 즉 게이트가 소스에 연결된 JFET로 구성됩니다.드레인 소스 전압이 특정 최소값에 도달하면 JFET는 전류가 거의 일정한 포화 상태에 들어갑니다.이 구성은 단순 전압 소스에 사용되는 정전압 다이오드(제너 다이오드)와 매우 유사하게 동작하기 때문에 정전류 다이오드라고 합니다.

JFET의 포화 전류의 변동성이 크기 때문에 전류를 원하는 값으로 낮출 수 있는 소스 저항(인접 이미지에 표시)도 포함하는 것이 일반적입니다.

제너 다이오드 전류원

상기 일반적인 개념의 이 바이폴라 접합 트랜지스터(BJT) 실장(그림4)에서 제너 전압안정기(R1 및 DZ1)는 부하전류를 검지하는 정 이미터 저항기(R2)에 의해 부하된 이미터 팔로워(Q1)를 구동한다.이 전류 소스의 외부(부동) 부하는 컬렉터와 이미터 저항(직렬로 연결된 것으로 간주할 수 있음)을 통해 거의 동일한 전류가 흐르도록 컬렉터에 연결됩니다.트랜지스터 Q1은 일정한 이미터 저항 R2의 전압 강하가 제너 다이오드 DZ1의 비교적 일정한 전압 강하와 거의 같도록 출력(콜렉터) 전류를 조정합니다.그 결과 부하저항 및/또는 전압이 변화해도 출력전류는 거의 일정하다.회로의 작동은 아래에 자세히 설명되어 있습니다.

제너 다이오드는 (회로에 표시된 것처럼) 역바이어스 시 흐르는 전류에 관계없이 전압이 일정하게 강하됩니다.따라서 제너 전류(I_Z)가 특정 레벨(유지 전류) 이상인 한 제너 다이오드(V) 전체의_Z 전압은 일정합니다.저항 R1은 NPN 트랜지스터(Q1)의 제너 전류 및 베이스 전류(I_B)를 공급합니다.일정한 제너 전압은 Q1과 이미터 저항 R2의 베이스에 인가됩니다.

R 전체의₂ 전압(V_R2)은 V - V에_BE 의해_Z 주어집니다.V는_BE Q1의 베이스 이미터 드롭입니다.R2를 통과하는 전류이기도 한 Q1의 이미터 전류는 다음과 같습니다.

$\displaystyle I_{\text{R2}}(=I_{\text{\text})E}} = I_{\text{C}} = flac {V_{\text{R2}} {R_{\text{2}}}}} = flac {V_{\text{Z}}-V_{\text{B}E}} {R_{\text{2}}}}}.}$

V는 일정하고_BE V도 일정하기 때문에_Z V는 일정하므로 나도_E 일정합니다_R2.트랜지스터의 작용으로 인해 이미터 전류 I는_E 트랜지스터의 컬렉터 전류 I_C(즉 부하를 통과하는 전류)와 거의 동일합니다.따라서 로드 전류가 일정하고(얼리 효과로 인해 트랜지스터의 출력 저항을 무시함) 회로가 정전류 소스로 작동합니다.온도가 일정하게 유지되는 한(또는 크게 변하지 않는) 부하 전류는 공급 전압, R1 및 트랜지스터의 이득과 무관합니다.R2는 부하전류를 임의의 바람직한 값으로 설정할 수 있도록 하며 다음과 같이 계산합니다.

${\displaystyle R_{\text{2}}}=param frac {V_{\text{Z}}-V_{\text{B}E}} {I_{\text{R2}}}}}$

여기서_BE V는 일반적으로 실리콘 ^[5]디바이스의 경우 0.65V입니다.

(I는_R2 이미터 전류이기도 하며 h가 충분히 클 경우_FE 컬렉터 또는 필요한 부하 전류와 동일하다고 간주됩니다).저항₁ R은 다음과 같이 계산됩니다.

${\displaystyle R_{\text{1}}}= flac {V_{\text{}S}}-V_{\text{Z}}{I_{\text{Z}}+K\cdot I_{\text{B}}}}}}}$

여기서 K = 1.2 ~ 2 (R이 충분한_B I를 보장할 수 있을 만큼 충분히_R1 낮다),

$\style I_{\text{\displaystyle}B}} = flac {I_{\text{}C}} {h_{FE,{\text{min}}}}}}}}}$

및_FE,min h는 사용 중인 특정 트랜지스터 유형에 대한 최소 허용 전류 게인입니다.

LED 전류원

제너 다이오드는 그림 5와 같이 발광 다이오드 LED1과 같은 다른 다이오드로 대체할 수 있습니다.LED 전압 강하(V_D)는 이제 정전압을 유도하는 데 사용되며 온도로 인한 V 변화를 추적(보상)할_BE 수 있는 추가적인 이점도 있습니다.R은₂ 다음과 같이 계산됩니다.

${\displaystyle R_{\text{2}}}=param frac {V_{\text{D}}-V_{\text{B}E}} {I_{\text{R2}}}}}$

및₁ R을 로서

$style R_{\text{1$$$$}}= flac {V_{\$$text{}$$S}}-V_{\text{$$D}} {I_{\text{$$D}}+K\cdot I_{\text{\text}$$B$ 여기서_D I는 LED 전류입니다.

다이오드 보정이 있는 트랜지스터 전류원

V는 온도에 민감하기 때문에_BE 온도 변화에 따라 그림 4의 회로에 의해 공급되는 출력 전류가 변경됩니다.온도 의존성은 왼쪽 그림과 같이 제너 다이오드와 직렬로 (트랜지스터와 동일한 반도체 재료의) 표준 다이오드를 포함하는 그림 6의 회로를 사용하여 보정할 수 있습니다.다이오드 드롭(V_D)은 온도에 의한 V의 변화를_BE 추적하기 때문에 CCS의 온도 의존성에 현저하게 대응합니다.

저항₂ R은 다음과 같이 계산됩니다.

${\displaystyle R_{2}=vfrac {V_{\text{Z}}+V_{\text{D}}-V_{BE}} {I_{\text{R2}}}}}$

V_D = V_BE = 0.65 ^[6]V이므로,

${\displaystyle R_{2}=vfrac {V_{\text{Z}}}{I_{\text{R2}}}}}}$

(실제로 V는_D V와 완전히_BE 동일하지 않으므로 V의 변경_BE 사항을 무효로 하는 대신 억제할 뿐입니다.)

R은₁ 다음과 같이 계산됩니다.

${\displaystyle R_{1}=vfrac {V_{\text{}S}}-V_{\text{Z}-V_{\text{\text}D}} {I_{\text{Z}}+K\cdotI_{\text{B}}}}}}}$

(보정 다이오드의 순방향 전압 강하 V는_D 방정식에 나타나며 실리콘 장치의 경우 일반적으로 0.65V입니다.)^[6]

이미터 변성이 있는 전류 미러

직렬 음성 피드백은 이미터 변성이 있는 2-트랜지스터 전류 미러에도 사용됩니다.음의 피드백은 Widlar 전류 소스 및 Wilson 전류 소스와 같은 여러 트랜지스터를 사용하는 일부 전류 미러의 기본 기능입니다.

열보상을 수반하는 정전류원

그림 5와 그림 6의 회로에 대한 한 가지 제한은 열 보상이 불완전하다는 것입니다.바이폴라 트랜지스터에서는 접합 온도가 높아지면 V 강하(베이스에서 이미터로의 전압 강하)가_be 감소합니다.앞의 두 회로에서는 V가_be 감소하면 이미터 저항 전체의 전압이 증가하여 부하를 통해 유입되는 컬렉터 전류가 증가합니다.결과적으로 공급되는 '정수' 전류의 양은 적어도 온도에 따라 다소 달라지게 됩니다.이 영향은 그림 6의 다이오드 D1과 그림 5의 LED 1에 대응하는 전압 강하에 의해 크게 완화되지만 완전히 완화되지는 않습니다.CCS의 액티브디바이스의 소비전력이 작지 않거나 이미터 변성이 불충분할 경우 이는 사소한 문제가 될 수 있습니다.

그림 5에서 전원을 켤 때 LED가 트랜지스터의 밑면을 구동하는 것을 상상해 보십시오.실온에서는 V접점 전체에_be 약 0.6V의 강하가 존재하며, 따라서 이미터 저항 전체에 약 0.4V의 강하가 존재하며, 대략 0.4/R암페어의_e 컬렉터(부하) 전류를 제공합니다.이제 트랜지스터의 전력 손실이 트랜지스터의 발열을 일으킨다고 가정해 보겠습니다.이로 인해 V 드롭(상온에서 0.6V)이_be 0.2V로 떨어집니다.이제 이미터 저항 전체의 전압은 워밍업 전의 2배인 0.8V입니다.즉, 이제 수집기(부하) 전류가 설계 값의 두 배가 됩니다!이는 물론 극단적인 예이지만 문제를 설명하는 데 도움이 됩니다.

좌측 회로는 열 문제를 해결합니다(전류 제한 참조).회로의 작동 방식을 보려면 전압이 방금 V+에서 인가되었다고 가정합니다.전류는 R1을 통해 Q1의 베이스로 흐르며, 이를 켜면 부하를 통해 Q1의 컬렉터로 전류가 흐르기 시작합니다.이 같은 부하 전류가 Q1의 이미터에서 나와 R을 통해_sense 접지로 흐릅니다.R을 통해_sense 접지로 흐르는 전류가 Q2의 V_be 강하와 동일한 전압 강하를 일으키기에 충분하면 Q2가 켜지기 시작합니다.Q2가 켜지면 콜렉터 저항인 R1을 통해 더 많은 전류를 끌어당겨 Q1의 베이스에 주입된 전류의 일부를 우회시켜 Q1이 부하를 통해 더 적은 전류를 흘려보냅니다.이로 인해 회로 내에 음의 피드백 루프가 생성되어 Q1의 이미터 전압이 Q2의 V 드롭과_be 거의 동일하게 유지됩니다.Q2는 Q1에 비해 매우 적은 전력을 소비하므로(모든 로드 전류가 Q2가 아닌 Q1을 통과하므로), Q2는 유의한 양의 열을 가하지 않고 R 전체의_sense 기준(전류 설정) 전압이 0.6V 이하로 유지되거나_be Q1의 V 드롭의 열 변화에 관계없이 접지 위에 1개의 다이오드가 떨어집니다.회로는 Q2의 BE 전압 강하가 온도에 따라 약간 다르기 때문에 디바이스가 동작하는 주변 온도 변화에 여전히 민감합니다.

Op-amp 전류 소스

그림 4의 간단한 트랜지스터 전류원은 트랜지스터의 베이스-이미터 접합부를 op-amp의 피드백 루프에 삽입함으로써 개선할 수 있습니다(그림 7).이제 op-amp는 V 강하를_BE 보상하기 위해 출력 전압을 높입니다.회로는 실제로 일정한 입력 전압에 의해 구동되는 버퍼링된 비반전 증폭기입니다.정전압은 정전압을 감지 저항에서 유지합니다.그 결과 부하를 통과하는 전류도 일정하며, 이는 정확히 제너 전압을 감지 저항으로 나눈 값입니다.부하는 이미터(그림 7) 또는 콜렉터(그림 4)에 접속할 수 있지만, 어느 경우든 위의 모든 회로와 같이 플로팅되어 있습니다.필요한 전류가 op-amp의 소싱 능력을 초과하지 않으면 트랜지스터가 필요하지 않습니다.커런트 미러에 관한 기사에서는 이른바 게인 부스트 커런트 미러의 또 다른 예를 설명하고 있습니다.

전압 조절기 전류원

일반적인 음의 피드백 배열은 IC 전압 조절기에 의해 구현될 수 있습니다 (그림 8의 LM317 전압 조절기).위의 베어 이미터 팔로어 및 정밀 op-amp 팔로어와 마찬가지로 정전압 강하(1.25Ω)를 일정 저항(1.25V)에 걸쳐 유지하므로 정전류(1A)가 저항과 부하를 통해 흐릅니다.부하 전체의 전압이 1.8V를 넘으면 LED가 점등합니다(인디케이터 회로에 오류가 발생합니다).접지 부하는 이 솔루션의 중요한 장점입니다.

커피스터 튜브

2개의 전극과 보정된 Becquerel(초당 전하량)의 Ra가 있는 질소 충전 유리 튜브는 초당 일정한 수의 전하 캐리어를 전달하며, 이는 튜브가 25~500V의 ^[7]전압 범위에서 통과할 수 있는 최대 전류를 결정합니다.

전류 및 전압원 비교

대부분의 전기 에너지 소스(전기, 배터리 등)는 전압 소스로서 가장 잘 모델링됩니다.이러한 소스는 정전압을 제공합니다. 즉, 소스에서 끌어온 전류가 소스의 기능 범위 내에 있는 한 출력 전압은 일정하게 유지됩니다.이상적인 전압원은 개방 회로(즉, 무한 임피던스)에 의해 부하될 때는 에너지를 공급하지 않지만 부하 저항이 0(단락 회로)에 가까워지면 무한 전력 및 전류에 접근합니다.이러한 이론 디바이스는 소스와 직렬로 제로옴 출력 임피던스를 가집니다.실제 전압 소스는 매우 낮지만 0이 아닌 출력 임피던스를 가집니다. 대개 1Ω보다 훨씬 작습니다.

반대로 소스 단자에 연결된 부하가 충분히 낮은 임피던스를 갖는 한 전류원은 일정한 전류를 공급합니다.이상적인 전류원은 단락 회로에 에너지를 공급하지 않고 부하 저항이 무한대(개방 회로)에 가까워짐에 따라 무한대의 에너지 및 전압에 근접합니다.이상적인 전류원은 소스와 병렬로 무한대의 출력 임피던스를 가진다.실제 전류원은 매우 높지만 유한한 출력 임피던스를 가집니다.트랜지스터 전류원의 경우, (저주파수에서의) 몇 개의 메가옴 임피던스가 대표적입니다.

때문에 이 규정된 0현재(개회로)을 가진 요소를 통해 지속적이고 0이 아닌 현재(현재 소스로부터)을 실행하는 역설을 만들어 낼 것 이상적인 전류원 이상적인 개방 회로에 연결되어 있지 않을 수 있다.만약 그들의 전류가 다른 또한, 전류원 다른 현재 소스지만 이런 합의는 자주(예를 들어, 동적 하중, CMOS회로와 단계 증폭에 등)사용된다 연결시키면 안 된다.

이후 이 유한을 합했을 때 전압의 정의된 무전압( 짧은 회로)을 가진 요소를 가로질러 유사한 역설이 초래될 것 마찬가지로, 이상적인 전압원 이상적인 단락(R=0)과 연결 할 수 없다.만약 그들의 전압 차이가 또 전압 소스 전압 공급원에 다시 이 배열 자주(예를 들어 베이스 공통 및 디퍼렌셜과 치열한 단계에서)사용된다 연결시키면 안 된다.

, 전류 및 전압 달리 발생원은 다른 쪽에 문제가 없는, 그리고 이 기술을 널리 회로(캐스코 우드 회로에 공통 이미터 전류 소스에 예를 들어, 차동 증폭기 단계 등)에 사용된다 연결될 수 있습니다.

왜냐하면 어느 한 다양한 어떠한 이상적인 소식통(현실 세계의 예시와 0이 아닌 유한 소스 임피던스를 갖는)존재한다면 현재 소스 소스 임피던스와 그 반대로 전압원으로 간주할 수 있다.이런 개념들과 함께 노턴의, 테브난의 정리에 의해 다루어져 있다.

커패시터의 정전류 소스와 전압원에 의해 Charging 다르다.반면에 커패시터 전압 소스 충전 시간과 함께 지수는 직선성의 시간과 함께 정전류원인 충전을 위해 유지된다.정전류원의 이 특정 속성 적절한 신호에서 거의 제로에 비친 날을 도와 준다.

「 」를 참조해 주세요.

• 현재 지속적인
• 제한 현재
• 현재 루프
• 현재 거울
• 현재 소스와 싱크
• 폰타나 다리 보상형 전류 소스.
• 철수소 저항기
• 포화 반응기
• 전압-전류 변환기
• 아크 용접에 사용되는 장치인 용접 전원 공급 장치, 그 중 많은 수가 정전류 장치로 설계됩니다.
• 와이드라 전류원

레퍼런스

추가 정보

• "전류 소스와 전압 기준" 린든 T.해리슨; 푸블.Elsevier-Newnes 2005; 608페이지; ISBN 0-7506-7752-X

외부 링크

• 전류 소스 및 전류 미러
• FET 정전류 소스/제한 장치 - 비셰이
• JFET 전류원 및 pSpice 시뮬레이션
• 오디오에서의 전류 소스/싱크/미러 사용
• 차동 증폭기 및 전류 소스