습윤층

Wetting layer

습윤층은 평평한 표면에서 에피택셜로 성장한 원자의 단분자층이다.습윤층을 형성하는 원자는 반금속 원소/성분 또는 금속 합금(박막용)일 수 있습니다.결정성 기판상에 격자 불일치 재료를 퇴적할 때 습윤층이 형성된다.본 문서에서는 자체 조립 양자 점의 성장과 관련된 습윤층을 언급하고 있습니다(예: GaAs의 InAs).이 양자점들은 습윤층 위에 형성된다.습윤층은 양자 정보 처리 및 양자 계산에 응용하기 위해 양자 닷의 상태에 영향을 미칠 수 있습니다.

과정

습윤층은 분자선 에피택시(MBE)를 사용하여 표면에서 에피택시적으로 성장한다.습윤층 성장에 필요한 온도는 일반적으로 섭씨 400도에서 500도 사이입니다.재료 A가 격자부합재료 B의 표면에 퇴적되면 재료 A의 제1원자층이 B의 격자상수를 채택하는 경우가 많다.이 재료 A의 단층부를 습윤층이라고 합니다.층 A의 두께가 더욱 두꺼워지면 재료 A가 B의 격자를 일정하게 유지하는 것이 에너지적으로 불리해진다.A층의 변형률이 높기 때문에 A층의 특정 임계 두께에 도달하면 추가 원자가 함께 뭉친다.이 섬의 형성은 탄성 [1]에너지를 감소시킨다.재료 B에 의해 과잉 성장한 습윤층은 재료 A의 밴드갭이 B보다 낮을 경우에 양자 우물을 형성한다.이 경우 형성된 섬은 양자점입니다.또한 소둔을 사용하여 습윤층/양자[2] 닷의 물리적 특성을 변경할 수 있습니다.

특성.

습윤층은 일반적으로 0.5나노미터 두께의 단원자층에 가까운 층입니다.양자 닷의 전자 특성은 습윤층의 결과로 [3][4][5]변할 수 있습니다.또, 습윤층에 [6]의해 양자 닷의 변형률도 변화할 수 있다.

메모들

  1. ^ Lee, S.; Lazarenkova, O.; Von Allmen, P.; Oyafuso, F.; Klimeck, G. (2004). "Effect of wetting layers on the strain and electronic structure of InAs self-assembled quantum dots". Physical Review B. 70 (12). arXiv:cond-mat/0405019. Bibcode:2004PhRvB..70l5307L. doi:10.1103/PhysRevB.70.125307.
  2. ^ Sanguinetti, S.; Mano, T.; Gerosa, A.; Somaschini, C.; Bietti, S.; Koguchi, N.; Grilli, E.; Guzzi, M.; Gurioli, M.; Abbarchi, M. (2008). "Rapid thermal annealing effects on self-assembled quantum dot and quantum ring structures". Journal of Applied Physics. 104 (11): 113519. doi:10.1063/1.3039802. ISSN 0021-8979.
  3. ^ Lee, Seungwon; Lazarenkova, Olga L.; von Allmen, Paul; Oyafuso, Fabiano; Klimeck, Gerhard (2004). "Effect of wetting layers on the strain and electronic structure of InAs self-assembled quantum dots". Physical Review B. 70 (12). arXiv:cond-mat/0405019. doi:10.1103/PhysRevB.70.125307. ISSN 1098-0121.
  4. ^ Karrai, Khaled; Warburton, Richard J.; Schulhauser, Christian; Högele, Alexander; Urbaszek, Bernhard; McGhee, Ewan J.; Govorov, Alexander O.; Garcia, Jorge M.; Gerardot, Brian D.; Petroff, Pierre M. (2004). "Hybridization of electronic states in quantum dots through photon emission". Nature. 427 (6970): 135–138. doi:10.1038/nature02109. ISSN 0028-0836.
  5. ^ Shahzadeh, Mohammadreza; Sabaeian, Mohammad (2014). "The effects of wetting layer on electronic and optical properties of intersubband P-to-S transitions in strained dome-shaped InAs/GaAs quantum dots". AIP Advances. 4 (6): 067113. doi:10.1063/1.4881980. ISSN 2158-3226.
  6. ^ Sun, Chao; Lu, Pengfei; Yu, Zhongyuan; Cao, Huawei; Zhang, Lidong (2012). "Wetting layers effect on InAs/GaAs quantum dots". Physica B: Condensed Matter. 407 (22): 4440–4445. doi:10.1016/j.physb.2012.07.039. ISSN 0921-4526.

외부 링크