인듐 비소화 알루미늄

Aluminium indium arsenide

알루미늄 인듐 비소화, 인듐 알루미늄 비소화 또는 알리나스(AlInAsx1−x)는 가이나스와 거의 같은 격자 상수이지만 밴드갭이 더 큰 반도체 소재다. 위 공식의 x는 0과 1 사이의 숫자 - InAs와 AlAs 사이의 임의 합금을 나타낸다.

공식 AlInAs는 특정한 비율이 아니라 위의 약어로 간주되어야 한다.

비소 알루미늄 인듐은 예를 들어 변성 HEMT 트랜지스터의 완충층으로 사용되며, 여기서 GaAs 기질과 GaInAs 채널 사이의 격자 상수 차이를 조정하는 역할을 한다. 또한 양자 우물 역할을 하는 인듐 갈륨 비소로 대체 층을 형성하는데 사용될 수 있다. 이러한 구조물은 광대역 양자 캐스케이드 레이저와 같이 사용된다.

안전 및 독성 측면

AlInAs의 독성학 연구는 아직 완전히 조사되지 않았다. 그 먼지는 피부, 눈, 폐에 자극을 준다. 알루미늄 인듐 비소원(트리메틸린듐, 아르신 등)의 환경, 건강 및 안전 측면과 표준 MOVP원에 대한 산업 위생 모니터링 연구가 최근 검토에서 보고되었다.[1]

참조

  1. ^ Environment, health and safety issues for sources used in MOVPE growth of compound semiconductors; D V Shenai-Khatkhate, R Goyette, R L DiCarlo and G Dripps, Journal of Crystal Growth, vol. 1-4, pp. 816-821 (2004); doi:10.1016/j.jcrysgro.2004.09.007