쇼클리 다이오드

Shockley diode
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쇼트키 다이오드와 혼동해서는안 된다.
쇼클리 다이오드
발명된윌리엄 쇼클리
핀 구성양극과 음극
전자 기호
Shockley diode schematic symbol
실리콘밸리에서 실리콘 소자가 최초로 작업한 쇼클리 반도체 연구소의 원위치였던 캘리포니아주 마운틴뷰 샌안토니오 Rd 391번지 신관 앞 보도에 쇼클리 4단 다이오드를 상징하는 조형물.

쇼클리 다이오드(물리학자 윌리엄 쇼클리(William Shockley)의 이름을 딴)는 4단 반도체 다이오드로, 최초로 발명된 반도체 소자의 하나였다. PNPN 다이오드로 P형 재료와 N형 재료가 번갈아 층을 이루고 있다. 문이 분리된 사이리스터와 맞먹는다. 쇼클리 다이오드는 1950년대 후반에 쇼클리 반도체 연구소에 의해 제조되고 판매되었다. 쇼클리 다이오드는 음의 저항 특성을 가지고 있다.[1]

일하는 중

다른 반도체 다이오드와 달리 쇼클리 다이오드는 PN 접점이 1개 이상이다. 이 공사는 PNPN 패턴에서 양극과 음극 사이에 번갈아 배치된 반도체 4개 구간을 포함한다. 여러 개의 접합부를 가지고 있지만, 2단자 소자로 다이오드라고 불린다.

쇼클리 다이오드는 트리거 전압보다 큰 전압이 단자에 적용될 때까지 매우 높은 저항으로 OFF 상태를 유지한다. 전압이 트리거 값을 초과하면 저항이 극히 낮은 값으로 떨어지고 장치가 켜진다. 구성 트랜지스터는 ON 및 OFF 상태를 유지하는 데 도움이 된다. 이 구조는 한 쌍의 상호 연결된 양극성 트랜지스터, 한 쌍의 PNP 및 다른 NPN과 유사하기 때문에 두 트랜지스터 모두 베이스-이미터 접점을 통한 전류가 없기 때문에 다른 한 쌍의 트랜지스터가 켜질 때까지 켜지지 않는다. 충분한 전압이 인가되고 트랜지스터 중 하나가 고장 나면 전도하기 시작하여 다른 트랜지스터를 통해 베이스 전류가 흐르게 하여 두 트랜지스터의 포화 상태를 모두 ON 상태로 유지한다.

전압을 충분히 낮은 수준으로 낮추면 흐르는 전류가 트랜지스터 바이어스를 유지하기에 불충분해진다. 불충분한 전류로 인해 트랜지스터 중 하나가 차단되어 다른 트랜지스터로의 기본 전류가 중단되어 두 트랜지스터가 모두 OFF 상태로 씰링된다.

우사게스

일반적인 애플리케이션:

틈새 애플리케이션:

일반적인 값

V-I 다이어그램
설명 범위[4] 전형적으로
전진작동
전환s 전압 V 10V~250V 50 V ± 4 V
고정h 전압 V 0.5V ~ 2V 0.8V
전류s I 전환 몇 µA에서 몇 mA까지 120µA
현재H I 유지 1 ~ 50 mA 14~45mA
역작동
역류R I 15µA
역방향 고장 전압rb V 10V~250V 60 V

다이니스터

다이니스터

소신호 충격리 다이오드는 더 이상 제조되지 않지만 다이미스터라고도 알려진 단방향 사이리스터 차단 다이오드는 기능적으로 동등한 전력 소자다. 1958년에 동역자에 대한 초기 출판물이 출판되었다.[5] 1988년에 실리콘 카바이드의 첫번째 다이니스터가 만들어졌다.[6] 다이니스터는 마이크로초와 나노초 전력 펄스 발생기의 스위치로 사용될 수 있다.[7]

참조

  • 마이클 리오르단과 릴리안 호데슨; 크리스탈 파이어: 트랜지스터의 발명과 정보화 시대의 탄생. 뉴욕: 노턴(1997년) ISBN0-393-31851-6PBk.
  1. ^ "Transistor Museum Photo Gallery Shockley Diode 4 LayerTransistor". semiconductormuseum.com. Retrieved 2019-04-09.
  2. ^ "Transistor Museum Photo Gallery Shockley Diode Transistor 4 Layer". semiconductormuseum.com. Retrieved 2019-04-09.
  3. ^ "Just Diodes In Hi-Fi Amplifier". 2007-02-21. Archived from the original on 2007-02-21. Retrieved 2019-04-09.
  4. ^ Willfried Schurig (1971), amateurreihe electronica: Kennlinien elektronischer Bauelemente. Teil II: Halbleiter Dioden (in German), Berlin: Deutscher Militärverlag, p. 119
  5. ^ Pittman, P. (Spring 1958). The application of the dynistor diode to off-on controllers. 1958 IEEE International Solid-State Circuits Conference. Digest of Technical Papers. I. pp. 55–56. doi:10.1109/ISSCC.1958.1155602.
  6. ^ Chelnokov, V. E.; Vainshtein, S. N.; Levinshtein, M. E.; Dmitriev, V. A. (1988-08-04). "First SiC dynistor". Electronics Letters. 24 (16): 1031–1033. doi:10.1049/el:19880702. ISSN 1350-911X.
  7. ^ Aristov, Yu.V.; Grekhov, I.V.; Korotkov, S.V.; Lyublinsky, A.G. (September 22–26, 2008). "Dynistor Switches for Micro- and Nanosecond Power Pulse Generators". Acta Physica Polonica A. Proceedings of the 2nd Euro-Asian Pulsed Power Conference, Vilnius, Lithuania, September 22–26, 2008. 115 (6): 1031–1033. doi:10.12693/APhysPolA.115.1031.

외부 링크


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