포토암호화폐

Photocurrent

광암호화폐는 복사력에 노출되어 광다이오드 같은 광감응 장치를 통한 전류를 말한다.광암호화폐는 광전, 광분해 또는 광전지 효과의 결과로 발생할 수 있다.광암호화폐는 눈사태 광다이오드(APD)에서 발생하는 것과 같이 응용된 장의 영향을 받아 이온과 광자 사이의 상호작용에 의해 발생하는 내부 이득에 의해 강화될 수 있다.null

적절한 방사선을 사용할 경우 광전류는 방사선 강도에 정비례하며 광전류가 최대가 되고 가속 전위가 더 증가하지 않을 때 단계까지 가속 전위가 증가함에 따라 증가한다.광전류의 최고(최대) 값을 포화 전류라고 한다.광전류가 0이 되는 지연 전위 값을 입사 광선의 주어진 주파수에 대한 차단 전압 또는 정지 전위라고 한다.null

광전학

주요 기사:태양전지론

광암호화폐의 생성은 광전지의 기초를 이룬다.null

광암호분광학

광촉도 분광학이라고도 하는 PCS(Photonent Spectroscopy, PCS)라는 특성화 기법은 반도체와 다른 광 흡수 물질의 광전자적 특성을 연구하는 데 널리 사용된다.[1]이 기법의 설정에는 반도체와 전극이 접촉하여 전기적 편향의 적용을 허용하는 동시에 특정 파장(에너지)과 출력을 갖는 튜닝 광원(일반적으로 기계식 헬리콥터에 의해 펄스)을 발생시키는 것이 포함된다.[2][3]null

측정된 양은 단색기에 의해 입사 광 에너지를 변화시켜 얻은 분광기와 결합된 회로의 전기적 반응이다.회로와 광학 장치는 잠금 증폭기를 사용하여 결합된다.측정은 반도체 대역 간극과 관련된 정보를 제공하므로 엑시톤과 트리온 에너지와 같은 다양한 전하 전이를 식별할 수 있다.이는 양자 우물 같은 반도체 나노구조와 [4]전이금속 디칼코제네이드 단열재 같은 다른 나노물질 연구에도 큰 관련이 있다.[5]null

또한 피에조 단계를 사용하여 반도체의 측면 위치를 마이크론 정밀도로 변화시킴으로써 다른 위치에 대한 스펙트럼의 마이크로그래프 거짓 색상 이미지를 생성할 수 있다.이것을 스캐닝광자현미경(SPCM)이라고 한다.[6]

참고 항목

참조

  1. ^ "RSC Definition - Photocurrent spectroscopy". RSC. Retrieved 2020-07-19.
  2. ^ Lu, Wei; Fu, Ying (2018). "Photocurrent Spectroscopy". Spectroscopy of Semiconductors. Springer Series in Optical Sciences. Vol. 215. pp. 185–205. doi:10.1007/978-3-319-94953-6_6. ISBN 978-3-319-94952-9. ISSN 0342-4111.
  3. ^ Lamberti, Carlo; Agostini, Giovanni (2013). "15.3 - Photocurrent spectroscopy". Characterization of Semiconductor Heterostructures and Nanostructures (2 ed.). Italy: Elsevier. p. 652-655. doi:10.1016/B978-0-444-59551-5.00001-7. ISBN 978-0-444-59551-5.
  4. ^ O. D. D. Couto; J. Puebla; E.A. Chekhovich; I. J. Luxmoore; C. J. Elliott; N. Babazadeh; M.S. Skolnick; A.I. Tartakovskii; A. B. Krysa (2011). "Charge control in InP/(Ga,In)P single quantum dots embedded in Schottky diodes". Phys. Rev. B. 84 (12): 7. arXiv:1107.2522. Bibcode:2011PhRvB..84d5306P. doi:10.1103/PhysRevB.84.125301. S2CID 119215237.
  5. ^ Mak, Kin Fai; Lee, Changgu; Hone, James; Shan, Jie; Heinz, Tony F. (2010). "Atomically ThinMoS2: A New Direct-Gap Semiconductor". Physical Review Letters. 105 (13): 136805. arXiv:1004.0546. Bibcode:2010PhRvL.105m6805M. doi:10.1103/PhysRevLett.105.136805. ISSN 0031-9007. PMID 21230799. S2CID 40589037.
  6. ^ Graham, Rion; Yu, Dong (2013). "Scanning photocurrent microscopy in semiconductor nanostructures". Modern Physics Letters B. 27 (25): 1330018. Bibcode:2013MPLB...2730018G. doi:10.1142/S0217984913300184. ISSN 0217-9849.
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