트랜지스터 다이오드 모델

Transistor diode model

다이오드 모델에서는 2개의 다이오드가 백투백으로 접속되어 PNP 또는 NPN 바이폴라 접합 트랜지스터(BJT)가 동등하게 된다.이 모델은 이론적이고 질적이다.

트랜지스터의 구조는 다이오드 한 쌍이 정면으로 연결된 것과 매우 유사합니다.

PNP 트랜지스터

PNP 트랜지스터를 만들기 위해 두 다이오드의 캐소드를 백투백으로 연결하여 큰 N형 베이스 [1]영역을 형성합니다.

NPN 트랜지스터

NPN 트랜지스터를 만들기 위해 양쪽 다이오드의 양극을 백투백 접속하여 큰 P형 베이스 [1]영역을 형성한다.

베이스 바이어스

베이스 영역은 2개의 양극 또는 2개의 캐소드의 조합이며 가볍게 도핑되지 않기 때문에 이 모델을 [citation needed]작동시키기 위해서는 더 많은 베이스 바이어스가 필요합니다.

레퍼런스

  1. ^ a b "BiPolar Transistors - Page 1".

외부 링크