절연체에 직접 실리콘이 변형됨

Strained silicon directly on insulator

절연체에 직접 실리콘이 변형된 것(SSDOI)은 IBM이 개발한 절차로, 경화된 실리콘을 절연체에 직접 남겨두고 경색된 실리콘 공정에서 실리콘 게르마늄 층을 제거한다.이와는 대조적으로, SGOI의 긴장된 실리콘은 MIT가 개발한 것처럼 절연체의 느슨한 실리콘 게르마늄 층에 긴장된 실리콘 층을 제공한다.[1]

참조

  1. ^ Taraschi, Gianni; Pitera, Arthur J.; McGill, Lisa M.; Cheng, Zhi-Yuan; Lee, Minjoo L.; Langdo, Thomas A.; Fitzgerald, Eugene A. (2002). "Strained-Si-on-insulator (SSOI) and SiGe-on-insulator (SGOI): Fabrication obstacles and solutions". MRS Proceedings. 745. doi:10.1557/PROC-745-N4.7. Retrieved 2016-03-11.


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