IEEE 준이치 니시자와 메달
IEEE Jun-ichi Nishizawa MedalIEEE 준이치 니시자와 메달 | |
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수여 대상 | 재료 및 장치 과학 및 기술에 대한 탁월한 기여(실제 적용 포함) |
제시자 | 전기전자공학연구원 |
선착순 | 2002 |
웹사이트 | https://www.ieee.org/about/awards/medals/nishizawa.html |
2002년, 전기전자공학연구원(IEEE)은 이미 현존하는 수상 프로그램에 새로운 상을 추가했다. 매년 1명 이상의 지명자가 일본 마이크로일렉트로닉스의 아버지로 꼽히는 니시자와 준이치라는 이름으로 메달을 수여받는다. 니시자와 교수는 일본 센다이 도호쿠대에서 2개 연구소 소장과 17대 총장을 역임했으며, 전력 응용을 위한 레이저 및 PIN 다이오드와 정적 유도 사이리스터 등 광통신과 반도체 소자 분야의 중요한 혁신에 기여했다.
이 메달은 IEEE가 재료 과학과 장치 기술 분야의 후보자들에게 매년 수여하는 상이다.
이 상의 후원자는 일본 전력회사 연합회다.
받는 사람
다음은 이 상을 수상하였다.[1]
- 2004[2][3]: 프레데릭 딜
- 2005년: 제리 M. 우달[4]
- 2006년: 스나미 히데오,[5] 코야나기 미쓰마사,[6] 이토[7] 기요
- 2007년: 니콜라스 프란스 드 로이[8]
- 2008: 볼프강 헬프리히, 마틴 샤드트, 제임스 퍼거슨
- 2009년: 천밍후
- 2010년: 리처드 M. 스완슨[9]
- 2011년: 베르나르 르치너, 피터 브로디, 팽성루오[10]
- 2012: 마크 T. 보어,[11] 로버트 S. 초,[12] 타히르 가니[13]
- 2013년: 번 J. 린[14][15]
- 2014: 프란츠 래머와[16] 안드레아 어반[17]
- 2015년: 디미트리 안토니아디스[18]
- 2016:에사시[19] 마사요시
- 2017년: 칭 W. 탕, 스티븐 R. 포레스트, 마크 E. 톰프슨
- 2018년: Joe C. 캠벨
- 2019년: 아라카와 야스히코, 팔라브 바타차랴, 디터 빔베르크
- 2020년: 폴 대니얼 다프쿠스
참조
- ^ "Archived copy" (PDF). ieee.org. 2019-12-03. Archived from the original (PDF) on 2019-12-03. Retrieved 2019-12-03.CS1 maint: 제목으로 보관된 복사본(링크)
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- ^ 선파워의 CTO가 IEEE 준이치 니시자와 메달을 수여했다.
- ^ 2011 IEEE 준이치 니시자와 메달 수상자 AUO CIPO 팡첸 루오 박사
- ^ "Mark Bohr - Engineering and Technology History Wiki". Ethw.org. Retrieved 2017-03-12.
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- ^ https://ece.osu.edu/news/2013/04/ece-alum-burn-lin-receives-ieee-jun-ichi-nishizawa-medal ECE Alum Burn Lin은 IEEE 준이치 니시자와 메달을 받는다.
- ^ "Burn Jeng Lin - Engineering and Technology History Wiki". Ethw.org. 2016-01-19. Retrieved 2017-03-12.
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- ^ "Joe Charles Campbell". 13 April 2017.
- ^ "Joe C. Campbell - Engineering and Technology History Wiki". ethw.org. Retrieved 2019-12-03.
외부 링크