비심
BSIMBSIM(Berkeley Short-channel IGFET Model)[1]은 집적회로 설계를 위한 MOSFET 트랜지스터 모델군을 말한다. 또한 이러한 모델을 개발하는 미국 버클리 캘리포니아대 전기공학컴퓨터과학부(EECS)에 위치한 BSIM 그룹을 가리킨다. 전자 회로 시뮬레이션을 위해서는 정확한 트랜지스터 모델이 필요하며, 이는 다시 집적 회로 설계에 필요하다. 각 공정 생성마다 소자가 작아지기 때문에(무어의 법칙 참조), 트랜지스터의 행동을 정확하게 반영하기 위한 새로운 모델이 필요하다.
상용 및 산업용 아날로그 시뮬레이터(SPEASS 등)는 기술 진보 및 초기 모델이 부정확해지면서 다른 장치 모델을 많이 추가했다. 모델 매개변수 집합을 다른 시뮬레이터에서 사용할 수 있도록 이러한 모델의 표준화를 시도하기 위해, 산업 작업 그룹인 Compact Model Alliance를 구성하여 표준 모델의 선택, 유지 및 사용을 촉진하였다.[2] UC 버클리에서 개발된 BSIM 모델은 이러한 표준들 중 하나이다. 협의회가 지원하는 다른 모델로는 PSP, HICUM, MEXTRAM Archived 2014-12-28 Wayback Machine이 있다.
BSIM 모델
UC 버클리가 개발하고 현재 유지 관리하는 트랜지스터 모델은 다음과 같다.
- BSIM-CMG(공통 멀티 게이트),[3]
- 소스 코드 없이 발행된 유일한 모델인 [4]BSIM-IMG(Independent Multi-Gate)(2021년 7월 13일 발행 예정)
- BSIM-SOI(실리콘 온 인슐레이터),[5]
- BSIM-BULLK,[6] 이전 BSIM6,
- BSIM4,[7] 0.13μm ~ 20nm 노드에 사용,
- BSIM4의 전신인 BSIM3.[8]
BSIM 모델의 원래 버전은 C 프로그래밍 언어로 작성되었다. BSIM4와 BSIM3를 제외한 모든 최신 모델은 Verilog-A만 지원한다. 예를 들어, C를 지원했던 BSIM-SOI의 마지막 버전은 BSIM-SOIv4.4 버전이었다.
참조
- ^ Sheu, Scharfetter & Ko, Jeng (August 1987). "BSIM: Berkeley Short-Channel IGFET Model for MOS Transistors". IEEE Journal of Solid-State Circuits. SC-22: 558–566.
- ^ "Compact Model Coalition (CMC)". Si2.org.
- ^ "BSIM-CMG Model". BSIM Group, UC Berkeley.
- ^ "BSIM-IMG Model". BSIM Group, UC Berkeley.
- ^ "BSIM-SOI Model". BSIM Group, UC Berkeley.
- ^ "BSIM-BULK Model". BSIM Group, UC Berkeley.
- ^ "BSIM4 Model". BSIM Group, UC Berkeley.
- ^ "BSIM3 Model". BSIM Group, UC Berkeley.
