질화알루미늄 갈륨

Aluminium gallium nitride

질화알루미늄 갈륨(AlGaN)은 반도체 소재다. 그것은 질화알루미늄과 질화갈륨의 모든 합금이다.

AlGaN의x1−x 밴드갭은 3.4eV(xAl=0)에서 6.2eV(xAl=1)까지 맞춤 제작이 가능하다.[1]

AlGaN은 파란색에서 자외선까지 작동하는 발광 다이오드를 제조하는데 사용되는데, 이때 파장은 250nm(원거리 UV)까지 감소했고, 일부 보고는 222nm까지 감소하였다.[2] 파란색 반도체 레이저에도 사용된다.

자외선 방사선 검출기와 AlGaN/GaN 고전자-이동성 트랜지스터에도 사용된다.

AlGaN은 종종 질화 갈륨이나 질화알루미늄과 함께 사용되어 이질 결합을 형성한다.

AlGaN 층은 질화 갈륨, 사파이어 또는 (111) Si에서 거의 항상 추가 GaN 층과 함께 자란다.

안전 및 독성 측면

AlGaN의 독성학 연구는 아직 완전히 조사되지 않았다. AlGaN 먼지는 피부, 눈, 폐에 자극을 준다. 질화알루미늄 갈륨 선원의 환경, 건강 및 안전 측면(트리메틸갈륨, 암모니아 등)과 표준 MOVP 선원의 산업위생감시 연구가 최근 검토에서 보고되었다.[3]

참조

  1. ^ 질화알루미늄 갈륨의 성장과 특성...
  2. ^ Noguchi Norimichi; Hideki Hirayama; Tohru Yatabe; Norihiko Kamata (2009). "222 nm single‐peaked deep‐UV LED with thin AlGaN quantum well layers". Physica Status Solidi C. 6 (S2): S459–S461. Bibcode:2009PSSCR...6S.459N. doi:10.1002/pssc.200880923.
  3. ^ Shenai-Khatkhate, D. V.; Goyette, R.; DiCarlo, R. L. Jr.; Dripps, G. (2004). "Environment, Health and Safety Issues for Sources Used in MOVPE Growth of Compound Semiconductors". Journal of Crystal Growth. 272 (1–4): 816–821. Bibcode:2004JCrGr.272..816S. doi:10.1016/j.jcrysgro.2004.09.007.

외부 링크