네이티브 트랜지스터

Native transistor

전자 반도체 소자의 경우, 네이티브 트랜지스터(또는 때로는 천연 트랜지스터)는 강화 모드와 고갈 모드 사이의 중간인 다양한 MOS 전계효과 트랜지스터다.가장 흔한 것은 n채널 네이티브 트랜지스터다.

역사적으로, 고유 트랜지스터는 특별히 성장한 산화물이 없는 MOSFETs라고 일컬어졌는데, 다른 층을 처리하는 동안 실리콘 위에 자연적인 산화막만 형성되었다.[citation needed]

네이티브 MOSFET는 임계 전압이 거의 0에 가까운 트랜지스터다.네이티브 n채널 트랜지스터는 저전압 작동 증폭기와 저전압 디지털 메모리에 틈새 응용 프로그램을 가지고 있으며, 여기에서 약한 풀다운 역할을 한다.저전압 인터페이스 회로에도 사용된다.대부분의 CMOS 프로세스에서 N-채널 MOSFET는 벌크 영역을 구성하는 "Native" 약간 p-doped silicon에서 제작되는 반면 N-채널 MOSFET는 p-well에서 제작되는데, 이는 구멍의 존재 증가로 인해 양의 전하 농도가 더 높다.[1]네이티브 장치의 채널에서 양전하 농도가 낮다는 것은 이러한 양의 전하를 물리치고 전도 채널로 게이트 아래에 고갈 영역을 형성하기 위해 게이트 단자의 전압이 더 적게 필요함을 의미하며, 이는 네이티브 장치의 임계 전압이 더 작다는 것을 의미한다.

토종 트랜지스터의 주요 단점은 도핑 마스크가 추가돼 크기가 커지고, 때로는 트랜지턴스가 낮아진다는 점이다.네이티브 실리콘은 대부분의 MOSFET가 그렇듯이 n-well 또는 p-well에서 실리콘보다 전도성이 낮으므로 등가 전도성을 달성하려면 더 커야 한다.네이티브 N채널 MOSFET(NMOS) 게이트의 최소 크기는 표준 임계 전압 트랜지스터보다 2-3배 길고 넓다.추가 도핑 작업으로 토종 트랜지스터를 포함한 칩 비용도 늘어난다.

참조

  1. ^ Tsividis, Yannis, author. (14 December 2010). Operation and modeling of the MOS transistor. ISBN 9780199733774. OCLC 878027681. {{cite book}}: last=일반 이름 포함(도움말)CS1 maint: 여러 이름: 작성자 목록(링크)

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