알렉 브로어스, 남작 브로어스

Alec Broers, Baron Broers
우등상
The Lord Broers
FRS FMedSci FREng
Official portrait of Lord Broers crop 2, 2019.jpg
차석대신
케임브리지 대학교
재직중
1996-2003
재상에든버러 공작
선행자데이비드 글린드르 튜더 윌리엄스
성공자앨리슨 리처드
개인내역
태어난 (1938-09-17) 1938년 9월 17일 (83)
캘커타, 브리티시 라지
모교질롱 문법 학교
멜버른 대학교
케임브리지 대학교
케임브리지 처칠 대학 4기 석사
재직중
1990–1996
선행자헤르만 본디 경
성공자존 보이드 경

알렉 나이젤 브로어스, 남작 브로어스, FRS, FMedSci, FREng(1938년 9월 17일생)는 영국의 전기 엔지니어다.[1][2]

1994년 브로어스는 전자 빔 석판술과 현미경 검사에 대한 기여와 마이크로 조립에 대한 리더십으로 미국 공학 아카데미의 국제 회원으로 선출되었다.

교육과 조기생활

브로어스는 인도 캘커타에서 태어나 호주의 질롱 문법학교와 멜버른 대학교, 영국의 케임브리지 대학교(곤빌과 카이우스 칼리지)에서 교육을 받았다.

경력

그 후 브로어스는 미국 IBM의 연구 개발 연구소에서 19년간 근무한 뒤 1984년 캠브리지로 돌아와 전기공학부 교수(1984–96)와 케임브리지 트리니티 칼리지 교수(1985–90)가 되었다. 그는 나노 기술의 선구자다

브로어스는 이후 케임브리지의 처칠 대학 석사(1990-96년)와 케임브리지 대학 공학부 학장(1993-96년)이 되었다. 그는 1996-2003년 케임브리지 대학의 부총장을 지냈다. 1997년에 그는 스코틀랜드의 기술자 및 조선 협회에 맥밀란 기념강좌를 전달하기 위해 초대되었다. 그는 "창조 공학자의 역할과 교육"이라는 주제를 선택했다.[3] 그는 1998년에 기사 작위를 받았고 2004년에 캠브리지 카운티의 케임브리지의 남작 브로어스로 크로스벤치 라이프 피어를 만들었다.[4] 브로어스 경은 2004년부터 2007년까지 상원 과학기술위원회 위원장을 지냈고, 2001년부터 2006년까지 왕립 공과대학장을 역임했다.

2008년 9월, 브러더스 경은 영국의 45년 동안 가장 큰 새로운 과학 시설인 다이아몬드 광원에서 데이비드 쿡시 경으로부터 이사회 의장으로 취임했다.

수상 및 명예

브로어스 경은 대학, 대학, 학술 및 전문 기관으로부터 20개 이상의 명예 학위와 펠로우십을 받았다. 그는 미국 국립 공학 아카데미, 중국 공학 아카데미, 오스트레일리아 기술 과학 공학 아카데미, 미국 철학 협회의 외국인 회원이다.[5] 그는 1985년에 왕립 공학 아카데미[7] 회원으로[6] 선출되었다. 그는 케임브리지 세인트 에드먼드 대학의 명예교수다.[8]

경력요약

  • 1938년 9월 17일 인도 캘커타에서 태어남
  • 1941년 오스트레일리아 시드니로 이사
  • 1944년 영국 설리, 풀리로 이사
  • 1948년 오스트레일리아 멜버른으로 이주하여 질롱 문법 학교에 다녔다.
  • 1959년 오스트레일리아 멜버른 대학교 물리학과 BSC 학위
  • 1962년 케임브리지 대학에서 전기과학 학사 학위, 합창 학자로 처음 도착한 후
  • 1965년 캠브리지 대학 박사학위, 스캔 전자현미경의 선택적 이온빔 에칭이라는 논문
  • 1965년 미국 IBM 연구원, 기업 기술 위원회 위원
  • 1977 IBM CEO에 의해 IBM 펠로우로 임명됨.[9]
  • 1984년 케임브리지 대학교 전기공학과 교수 겸 트리니티 대학 펠로 복귀
  • 1990년 처칠 대학 석사
  • 1992년 케임브리지 대학교 공학과장
  • 1994년 미국 공학[10] 아카데미 국제 회원
  • 1995년 루카스 인더스트리즈 사외이사 취임
  • 1996년 캠브리지 대학교 부총장(2003년까지)
  • 1997년 보다폰 사외이사 취임
  • 1998년 교육봉사단
  • 1998년 헤르만 하우저, 데이비드 클리블리와 함께 케임브리지 네트워크 설립
  • 2001년 영국 왕립 공과대학 총장
  • 2004년 Life Peerage (Became Broers)
  • 2004년 상원 과학기술위원장 취임
  • 2005년 브로어스는 BBC를 위해 리스 강연을 선보인다.
  • 2008년 다이아몬드 광원사 회장 취임
  • 2009년 바이오 나노 컨설팅 회장 취임
  • 2010년, 기술 전략 위원회(Technology Strategy Board for Transport)의 회장이 됨.
  • 2012~2015년 퀸 엘리자베스 엔지니어링상 심사위원장.

리서치

알렉 브로어스는 1961년 케임브리지 대학의 공학부에서 오틀리 교수와 함께 연구 활동을 시작했고, 이후 윌리엄 C 닉슨 박사와 함께 스캐닝 전자현미경(SEM)에서 이온 식각을 거치는 표면의 현장 연구를 시작했다. 그가 사용한 현미경은 원래 Oatley에 의해 만들어졌고 그리고 나서 Garry Stewart가 수정되었는데, 그는 또한 이온을 샘플 표면에 집중시키는 이온원을 첨가했다. 오틀리 교수의 제자 중 한 명이었던 게리 스튜어트는 캠브리지 악기 회사로 옮겨 세계 최초의 상업용 SEM인 스테레오스칸의 디자인과 건축을 총괄했다. 그의 박사 과정 동안 알렉은 원래 정전 렌즈. 그에 따라 약 10nm에 현미경의 결의안을 개선시키는 곳에 자기 최종 렌즈 피팅, 이온 식각 표면을 살펴보고, 처음으로 나중에 이러한 패턴을 전송할 이온 에칭 와를 사용하여 patterns,[11]을 작성하는 현미경의 전자 빔 사용한 SEM 다시 i.nto 40 nm의 작은 금, 텅스텐 및 실리콘 구조. 이것들은 마이크로 전자 회로에 적합한 재료에서 인간이 만든 최초의 나노구조체로서 앞으로 수십 년 안에 일어날 전자 회로의 극한 소형화 가능성을 열어 놓았다.

케임브리지 대학을 졸업한 후, 브로어스 경은 거의 20년 동안 미국의 IBM과 함께 연구개발에 종사했다. 그는 뉴욕의 토마스 J 왓슨 연구 센터에서 16년 동안 일했고, 그 후 이스트 피쉬킬 개발 연구소에서 3년 동안 일했고, 마침내 기업 본부에서 일했다. T J 왓슨 연구소에서 그가 맡은 첫 임무는 당시 전자현미경에 사용된 텅스텐 철사 필라멘트를 대체할 장수의 전자 방출체를 찾는 것이었다. IBM은 사진 필름에 쓰기 위해 전자 빔을 사용하는 최초의 10억 비트 컴퓨터 저장소를 지었고 상대적으로 짧은 텅스텐 필라멘트 소스의 수명은 받아들일 수 없었다. 이 문제를 해결하기 위해 그는 LaB6 방출기를 사용한 최초의 실용적인 전자총을 개발했다.[12][13] 이러한 기여 뿐만 아니라 텅스텐 필라멘트들보다 높은 전자 밝기 제공하고, 1960년대 후반과 1970년대 초반에 그는 이것 그리고 이전 SEMs( 제2전자 표면 모드에서 3nm)[14]보다면 더 높은 해상도를 이용했다 표면을 살펴보고를 위해 두개의 새 SEMs을 건설한 수명 문제를 해결했다.항의라도0.5nm 빔 크기의 교정 길이 계측기.[15] 그는 두 번째 SEM을 사용하여 전송 모드에서 얇은 샘플을 검사하고, SEM에서 사용을 제안했던 올리버 C 웰스에 의해 '저손실 전자'라고 불렸던 전자인 고에너지 전자를 사용하여 고형 샘플을 검사했다. 처음에 이 고해상도low-loss 모드 NYU,[16]과 재향 군인 관리 병원 뉴 Jersey[17]에서 연구원들과 공동으로 살균, 피 세포를 검사할 그의 작품의 대부분 도구로 f는 변해 가고 있는 것은 리소그래피 기술을 사용하 scribe에 현미경을 사용하여 헌신적인 것이었다amiliar 실리콘 칩을 만들기 위해서. 그와 그의 동료 Michael Hatzakis는 마이크로크론 치수를 가진 최초의 실리콘 트랜지스터를 만들기 위해 이 새로운 전자 빔 리토그래피를 사용했다.[18] 그리고 서브마이크로론 치수는 그 당시 사용되던 전자 소자의 치수보다 훨씬 아래로 스케일 다운이 가능할 것이라는 것을 보여준다.

그는 "IBM 연구실에서 연구를 하면서 경이로운 시간을 보냈다"고 회고한다. 그는 전자제품이 방 가득 들어 있는 것을 기억하며, 새로운 것을 만들고 그것들을 시험하는 데 시간을 할애하는 것에 매우 기뻤다. 그곳에서 그는 약 16년 동안 세계에서 가장 좋은 '전자제품을 위한 플레이하우스' 중 한 곳에서 현미경과 미니어처 부품 제작을 위한 장비를 만드는 연구를 했다. 1977년 그는 IBM의 4만 명의 엔지니어와 과학자 중 40명 정도에 불과한 IBM 동료라는 부러운 지위를 얻었다. 이것은 그가 원하는 어떤 질문의 길을 따라갈 수 있는 자유를 주었고 그는 그 당시 미세조립이라고 불리던 것의 한계를 넘어서 작업을 계속했다. 그 후 10년 동안 그는 전자 빔 석판화의[19][20][21] 궁극적인 해상도를 측정하는 일련의 신중한 실험을 한 다음 전자 장치를 조작하기 위해 최고 해상도 방법을 사용했다.

분해능이 제한되는 해로운 영향 중 하나는 표본의 대량에서 역스크레이팅된 전자의 안개효과였다. 이를 피하기 위해 브러너스와 세드윅은 잉크젯 프린터 헤드를 만드는 기술을 이용해 얇은 막 기판을 발명했다.[22] 막은 백스케이티드 전자를 제거하기에 충분히 얇았다. 이러한 멤브레인 기판은 10nm 미만의 치수를 가진 최초의 금속 구조물을 제작하고 시험할 수 있도록 했다.[23] 이러한 치수는 이제 1나노미터로 측정되었기 때문에 그와 그의 동료들은 이 나노구조체들을 그 때까지 흔히 사용되던 접두사 마이크로를 사용하기 보다는 나노구조라고[24][25] 부르기로 결정했다. 이러한 멤브레인 샘플은 수년 후 MEM(Micro-Electro-Mechanical) 장치에서도 응용을 발견했으며, 또한 생물의학 응용 분야에서도 '칸틸레버'로서 응용을 발견했다. X선 석판화를[26] 이용한 초기 실험도 비슷한 막을 사용했다.

그가 케임브리지에 돌아왔을 때, 브로어스 경은 IBM에서 발견한 새로운 제조 방법의[27][28] 일부를 개발함으로써 소형화 기술을 원자 규모로 확장하기 위해 나노압축 실험실을 설립했다. 400kV 전송전자현미경(JEOL 4000EX)을 수정해 스캐닝 모드로 작동시켰고 약 0.3nm의 최소 빔 크기를 생산했다. 그는 이 시스템을 벨기에 루벤에 있는 IMEC 마이크로전자 연구소의 연구자들과 협력하여 지금까지 건설된 것 중 가장 작고 빠른 현장 효과 트랜지스터를 만들었다.[29]

참조

  1. ^ Voss, R. F.; Laibowitz, R. B.; Broers, A. N. (1980). "Niobium nanobridge dc SQUID". Applied Physics Letters. 37 (7): 656. Bibcode:1980ApPhL..37..656V. doi:10.1063/1.92026.
  2. ^ Broers, A. N. (1981). "Resolution, overlay, and field size for lithography systems". IEEE Transactions on Electron Devices. 28 (11): 1268–1278. Bibcode:1981ITED...28.1268B. doi:10.1109/T-ED.1981.20599. S2CID 47505859.
  3. ^ "Hugh Miller Macmillan". Macmillan Memorial Lectures. Institution of Engineers and Shipbuilders in Scotland. Archived from the original on 4 October 2018. Retrieved 29 January 2019.
  4. ^ https://www.thegazette.co.uk/London/issue/57337[bare URL]
  5. ^ "APS Member History". search.amphilsoc.org. Retrieved 8 July 2021.
  6. ^ "List of Fellows".
  7. ^ "List of Fellows".
  8. ^ "St Edmund's College - University of Cambridge". www.st-edmunds.cam.ac.uk. Retrieved 10 September 2018.
  9. ^ "Honorary Fellows - 2003 - Professor Sir Alec Broers". Institution of Mechanical Engineers. Retrieved 16 October 2011.
  10. ^ "Alec N. Broers". Retrieved 27 May 2021.
  11. ^ Broers, A. N. (1965). "Combined electron and ion beam processes for microelectronics". Microelectronics Reliability. 4: 103–104. doi:10.1016/0026-2714(65)90267-2.
  12. ^ Broers, A. N. (1967). "Electron Gun using Long-Life Lanthanum Hexaboride Cathode". Journal of Applied Physics. 38 (4): 1991–1992. Bibcode:1967JAP....38.1991B. doi:10.1063/1.1709807.
  13. ^ Broers, A. N. (1969). "Some experimental and estimated characteristics of the lanthanum hexaboride rod cathode electron gun". Journal of Physics E: Scientific Instruments. 2 (3): 273–276. Bibcode:1969JPhE....2..273B. doi:10.1088/0022-3735/2/3/310.
  14. ^ Broers, A. N. (1969). "A New High Resolution Reflection Scanning Electron Microscope". Review of Scientific Instruments. 40 (8): 1040–5. Bibcode:1969RScI...40.1040B. doi:10.1063/1.1684146. PMID 5797882.
  15. ^ Broers, A. N. (1973). "High-resolution thermionic cathode scanning transmission electron microscope". Applied Physics Letters. 22 (11): 610–612. Bibcode:1973ApPhL..22..610B. doi:10.1063/1.1654527.
  16. ^ Broers, A. N.; Panessa, B. J.; Gennaro Jr, J. F. (1975). "High-resolution scanning electron microscopy of bacteriophages 3C and T4". Science. 189 (4203): 637–9. Bibcode:1975Sci...189..637B. doi:10.1126/science.125922. PMID 125922.
  17. ^ Trubowitz, S; Broers, A; Pease, R. F. (1970). "Surface ultrastructure of the human marrow--a brief note". Blood. 35 (1): 112–5. doi:10.1182/blood.V35.1.112.112. PMID 5263118.
  18. ^ "고해상도 전자빔 제작", A. N. Broers & M. Hatzakis, Proc. National Electronics Conference, Inc., 826–829, 1969년 최고의 컨퍼런스 페이퍼로 선정
  19. ^ Broers, A. N.; Harper, J. M. E.; Molzen, W. W. (1978). "250-Å linewidths with PMMA electron resist". Applied Physics Letters. 33 (5): 392. doi:10.1063/1.90387.
  20. ^ "전자 빔 노출에 대한 PMMA 저항의 분해능 한계", 9번째 Int. Electron & Ion Beam Sci. & Technol, Ed. R. Bakish, Electrochem Soc, Princeton, N.J., 페이지 396–406, 1980, & J. Electrichem. Soc. 128, 페이지 166–170, 1980
  21. ^ Broers, A. N. (1988). "Resolution limits for electron-beam lithography". IBM Journal of Research and Development. 32 (4): 502–513. doi:10.1147/rd.324.0502.
  22. ^ Sedgwick, T. O.; Broers, A. N.; Agule, B. J. (1972). "A Novel Method for Fabrication of Ultrafine Metal Lines by Electron Beams". Journal of the Electrochemical Society. 119 (12): 1769. Bibcode:1972JElS..119.1769S. doi:10.1149/1.2404096.
  23. ^ Broers, A. N.; Molzen, W. W.; Cuomo, J. J.; Wittels, N. D. (1976). "Electron-beam fabrication of 80-Å metal structures". Applied Physics Letters. 29 (9): 596. doi:10.1063/1.89155.
  24. ^ "Nb 나노구조에서의 조셉슨 효과", R.B.라이보위츠, A.N.브러더스, J.T. 예, J. M. Viggiano, W. Molzen, 응용 물리학 편지, 35, 페이지 891–893, 1979
  25. ^ Molzen, W. W. (1979). "Materials and techniques used in nanostructure fabrication". Journal of Vacuum Science and Technology. 16 (2): 269–272. Bibcode:1979JVST...16..269M. doi:10.1116/1.569924.
  26. ^ Feder, R; Spiller, E; Topalian, J; Broers, A. N.; Gudat, W; Panessa, B. J.; Zadunaisky, Z. A.; Sedat, J (1977). "High-resolution soft x-ray microscopy". Science. 197 (4300): 259–60. Bibcode:1977Sci...197..259F. doi:10.1126/science.406670. PMID 406670.
  27. ^ Allee, D. R.; Broers, A. N. (1990). "Direct nanometer scale patterning of SiO2 with electron beam irradiation through a sacrificial layer". Applied Physics Letters. 57 (21): 2271. Bibcode:1990ApPhL..57.2271A. doi:10.1063/1.103909.
  28. ^ "Electron Beam Litotography—해상도 한계", Broers, A. N., Hoole A. C. N. 및 Ryan J. M.; Microelectronic Engineering 32, 페이지 131–142, 1996
  29. ^ Van Hove, M. (1993). "Scaling behavior of delta-doped AlGaAs/InGaAs high electron mobility transistors with gatelengths down to 60 nm and source-drain gaps down to 230 nm". Journal of Vacuum Science & Technology B: Microelectronics and Nanometer Structures. 11 (4): 1203. Bibcode:1993JVSTB..11.1203V. doi:10.1116/1.586921.

외부출처

학무실
선행자 처칠 대학 석사
1990–1996 		성공자
선행자 케임브리지 대학교 부총장
1996–2003 		성공자
영국의 우선 순위
선행자 신사여러분.
브로어스 남작 		그 뒤를 이어
텀멜의 발랑스 경